《表1 变磁通记忆电机的设计参数》
本文所采用的变磁通记忆电机拓扑如图1所示,具体设计参数见表1。
图表编号 | XD00116320600 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.01.25 |
作者 | 葛梦、李健、陈俊桦 |
绘制单位 | 强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学)、强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学)、强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学) |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
本文所采用的变磁通记忆电机拓扑如图1所示,具体设计参数见表1。
图表编号 | XD00116320600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.01.25 |
作者 | 葛梦、李健、陈俊桦 |
绘制单位 | 强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学)、强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学)、强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学) |
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