《表4 闪络电压提高百分比》

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《不同布置方式对交流绝缘子串人工污秽闪络特性的影响》

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由试验结果可知，绝缘子串交流污秽闪络试验结果相对标准偏差在8%以内，说明采用倒T型布置方式的绝缘子串污秽闪络特性具有较小的分散性。随着等值附盐密度的增加，每片绝缘子污秽平均闪络电压降低。相较与普通悬垂串绝缘子，采用倒T型布置方式，绝缘子污秽闪络电压得到较大提高。不同污秽程度下，绝缘子闪络电压提高百分比见表4。