《表4 缺陷长度检测对照表》
由于导电通道处于悬浮电位时,电场曲线较良好绝缘子串电场曲线变化不明显,为了更好地反映导电通道对整串绝缘子电场的影响,采用电场畸变量曲线作为研究对象:即为出现缺陷后的电场曲线与良好绝缘子串电场曲线的差值。导电通道长10 cm,处于不同位置时的电场畸变量曲线见图8:导电通道处于悬浮电位时,电场畸变量曲线存在明显的波峰和波谷,能更加明显地反映出芯棒中存在的缺陷。以良好绝缘子串电场曲线最小值所在位置为分水岭,当悬浮缺陷在高压端侧时,波谷在高压端侧,波峰在低压端侧;当悬浮缺陷在低压端侧时,波谷在低压端侧,波峰在高压端侧。悬浮导电通道为等电位,迫使其所在位置电场强度相对均匀,原本电场强的一端电场强度减小,形成“谷”,原本弱的一端电场强度增加,形成“峰”。因此“峰谷”位置可以反映出缺陷的两端,从而确定缺陷的位置和长度。但是悬浮性缺陷造成的电场畸变较弱,再加上伞裙的影响,峰谷的位置会有所偏差,据此判断出的悬浮导电通道缺陷长度误差比较大,见表4。因此对于悬浮性导电通道缺陷,仅靠电场法无法准确判断其缺陷长度,还需借助其他检测手段进行判断。
图表编号 | XD00116036600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.25 |
作者 | 程海兴、王洪新 |
绘制单位 | 武汉大学电气工程学院、武汉大学电气工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |