《表6 暴露于电离辐射的lv-i PSCs中编码SNVs的频率》

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《诱导性多能干细胞的低基因组稳定性使非同源末端连接增加》


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在编码区、基因间区域、内含子、5'非翻译区(untranslated regions,UTRs)和lv-iPSCs的3'UTR中发生了大量的SNVs和插入缺失(图2b、c)。与ESCs(8)或MEFs(11)(图2d,表3)相比,辐射与lviPSCs(559)编码区出现更多同义点突变相关。类似地,与ESCs(7)或MEFs(13)相比,在lv-iPSCs(307)编码区中存在更多非同义点突变(图2d,表3–表6)