《表1 不同光源对西瓜苗植株生长速率的影响》

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《不同LED光源对西瓜苗生长发育的影响》

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注:同列数据后无相同小写字母表示差异显著（P<0.05）。同表2～3。

由表1可见，各处理之间有明显差异，T3植株生长最为缓慢，其下胚轴绝对生长速率仅为0.7 mm·d-1，比T2、T3和CK低25.2%、47.7%和50.4%，在出苗时植株高度和下胚轴高度分别为5.2 cm和3.4 cm，显著低于其他各处理，植株高度分别比T2、T3和CK低28.6%、45.7%和42.2%，下胚轴高度分别比T2、T3和CK低24.9%、47.7%和50.2%，无明显徒长现象。T2和CK高度生长指标差异不显著，T2植株高度比CK略高，但其下胚轴高度低于CK，CK植株呈现下胚轴明显徒长，其下胚轴绝对生长速率高达1.4 mm·d-1。在植株的粗度方面，各处理的粗度之间差异较明显，其中以接穗高度最低的T3最粗，比高度最高的T2粗了26.3%，比CK粗了44.7%，CK植株整体呈现出又高又细的状态。从高度和粗度的数据可见，T3处理呈现出矮壮的状态。