《表5 CLTE-XT多点温控系统测试值》

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《温度均匀性对微波介质基板介电常数热系数测试的影响》

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采用多点温控系统和单点温控系统分别在100℃和0℃环境下进行测试，其中多点温控系统在监测的6个点温度最大偏差小于0.5℃时进行测试，而单点温控系统在检测点温度到达测试温度并保持15 min后进行测试，分别选取RT duroid 6002和CLTE-XT各5组样品进行测试，测试结果（见表3～表6）。由测试结果可以看出，对于材料RT duroid6002，单点温度控制系统测试结果与罗杰斯的典型值差距较为明显，且数据离散性较大。采用多点温控系统测试结果保持了良好的重复性，并与材料手册中的典型值基本吻合。对于材料CLTE-XT，其介电常数热系数典型值为-0.0009%/℃（-9ppm/℃），单点温控系统测试结果却在-0.0001%/℃（10 ppm/℃）左右，偏离典型值较大，而采用多点控温系统的测试结果与罗杰斯典型值更为接近。介电常数热系数由材料的组成结构（树脂成分、玻纤布增强材料比例等）决定，对于陶瓷填充的PTFE或碳氢树脂高频基材，介电常数热系数的值通常都比较小。此时为保证测试结果的准确性，良好地控制测试系统的温度均匀性，尤其是样品不同位置处的温度均匀性便显得尤为重要。