《表2 HNTs-APTES、HNTs-G3及HNTs@IIPs的接枝率》

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《埃洛石基离子印迹材料的制备及其镉离子传感性能》

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图4为HNTs、HNTs-APTES、HNTs-G3及HNTs@IIPs的热重分析图，表2为HNTs-APTES、HNTsG3及HNTs@IIPs的接枝率。由图4可知，材料HNTs（a）、HNTs-APTES（b）、HNTs-G3（c）和HNTs@IIPs（d）在0～150℃内有失重现象，主要是由于失去吸附水造成；原料HNTs 700℃未出现明显失重，说明其作为载体热性能良好；HNTs-G3在100～600℃直接有明显失重现象，大约失重60%，可能除了AlOH的脱氢作用外，还有表层修饰的含氨基末端的超分子基在这一阶段发生热解现象；HNTs@IIPs在250～600℃有大约70%的失重，失重较HNTs-G3严重，可能是环氧氯丙烷交联聚合形成印迹聚合物后，含有更高含量的易热分解成分。材料经高温处理产生热失重留下的主要包括HNTs和聚合物煅烧后残留的碳，表明接枝修饰的离子印迹聚合物热稳定有限，在高温下应慎重使用。通过热重分析计算接枝率（表2）可知，HNTs的表面接枝成功，接枝率G按如下公式（4）计算[33]: