《表2 模拟所用参数Table 2 Material parameters》

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《通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性》

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式中:Vlh（r）是轻空穴价带谷不考虑应变影响的固有带边分布。Vlhe是轻空穴价带谷受应变影响引入的能量偏移。av和b分别是价带的静水形变势和剪切形变势系数。Δ是Ge的自旋轨道耦合分裂能。mt和mz是空穴有效质量，它们由Luttinger-Kohn关系决定，即mt=m0/（γ1-γ2），mz=m0/（γ1-2γ2）。模拟所用到的参数列于表2。