《表2 等离子体波半导体开关主要参数》

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本文新型高压半导体开关是基于等离子体波效应高压半导体开关器件IRD、DBD、DSRD、FID、SAS等的统称，其工作原理是基于器件内部的等离子体物理现象，载流子以饱和速度运动，在每100 ps时间内大约只能移动10μm，这个距离比功率器件中空间电荷区（Space Charge Region，SCR）的宽度要小10倍以上。其中特定杂质分布结构的深扩散PN结器件在高压反偏压和特定触发电路的控制下，半导体PN结产生超快可逆延迟击穿效应，在PN结空间电荷区形成高电流密度电子-空穴等离子体，称作快速离化器件FID。等离子体波半导体开关器件主要参数如表2所示。