《光电物理基础》求取 ⇩

第一章半导体的光学系数1

1 光辐射与光1

2 折射率2

3 吸收系数4

4 反射系数5

5 透射系数7

第二章半导体对光的吸收10

1本征吸收10

1.1 允许直接跃迁11

1.2 禁戒直接跃迁12

1.3 间接能谷之间的间接跃迁12

1.4 布尔斯坦—莫斯移动15

1.5 与能带尾有关的跃迁15

2电场、压力和温度对本征吸收的影响17

2.1 有强电场时的本征吸收17

2.2 压力对本征吸收限的影响20

2.3 温度的影响22

3 能量比禁带宽度高时的吸收跃迁23

4激子吸收25

4.1 直接和间接激子吸收25

4.2 有电场时的激子吸收28

5 等电子中心束缚激子吸收29

6 能带与杂质能级之间的吸收跃迁30

7 受主与施主间的吸收跃迁32

8自由载流子吸收34

8.1 无选择性自由载流子吸收34

8.2 选择性自由载流子吸收37

第三章半导体的光电效应41

1光电导41

1.1 本征光电导和杂质光电导41

1.2 光电导机理44

1.3 光电导灵敏度46

1.4 光电导与光强度的关系47

1.5 陷阱的影响50

1.6 表面对光电导的影响52

1.7 噪声54

1.8 从光电导确定吸收系数55

2光生伏特效应56

2.1 p-n结的光生伏特效应56

2.2 异质结的光生伏特效应62

2.3 肖特基势垒的光生伏特效应65

2.4 体积光生伏特效应67

3光电子发射72

3.1 体积光电效应72

3.2 半导体的光电发射阈72

3.3 光电发射的物理过程74

3.4 量子效率76

3.5 表面条件的影响78

3.6 半导体的光电发射与能带结构81

第四章半导体的辐射跃迁84

1 罗斯布莱克-索克莱关系84

2 辐射效率87

3本征辐射跃迁88

3.1 直接跃迁88

3.2 间接跃迁89

3.3 自吸收的影响90

3.4 重掺杂半导体的本征跃迁90

4激子辐射复合91

4.1 直由激子91

4.2 束缚激子93

4.3 束缚于等电子中心的激子94

5能带与杂质能级之间的辐射跃迁95

5.1 浅跃迁95

5.2 深跃迁96

5.3 向深能级的跃迁97

6施主与受主间的辐射跃迁97

6.1 发射光子的能量98

6.2 辐射跃迁几率99

6.3 施主—受主杂质位置组合类型100

6.4 发射光谱结构100

6.5 发射光谱随时间的衰减及t-移动102

6.6 激发强度对光谱的影响及j-移动103

6.7 温度的影响105

第五章半导体的无辐射复合107

1 俄歇复合107

2表面复合113

2.1 表面态与表面复合中心113

2.2 表面复合中心能级的分布和表面复合速度114

3 通过缺陷或掺杂物的复合117

4 多声子复合118

第六章电致发光120

1发光120

1.1 发光定义120

1.2 发光的分类120

2 电致发光的特点121

3电致发光激发机理123

3.1 注入式发光123

3.2 碰撞电离激发126

3.3 隧道效应127

3.4 其它激发机理128

4p-n结注入式电致发光的主要特性130

4.1 亮度与电流的关系130

4.2 发光的温度关系132

4.3 亮度与电压的关系133

5p-n结注入式激光135

5.1 受激辐射135

5.2 分布反转136

5.3 激光的形成137

5.4 注入式激光的主要特性139

6碰撞电离激发电致发光的主要特性140

6.1 发光亮度与电压的关系140

6.2 亮度与温度的关系154

6.3 发光效率157