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目录1

第一章肖特基势垒二极管1

§1-1 金属-半导体接触1

§1-2 伏安特性5

§1-3 设计和结构16

§1-4 微波混频和检波22

§1-5 界面合金化问题28

第二章 变容二极管31

§2-1 p-n结31

§2-2 结构和参数40

§2-3 势垒电容的计算46

§2-4 击穿电压的计算54

§2-5 变容二极管在参量放大中的基本作用57

§2-6 变容二极管的测量59

§2-7 变容二极管在微波方面的其它应用61

第三章 p-i-n二极管66

§3-1 p-i-n二极管的主要参数66

§3-2 p-i-n二极管的结构79

§3-3 p-i-n二极管的应用80

第四章 阶跃恢复二极管82

§4-1 反向恢复过程82

§4-2 阶跃恢复二极管的基本作用88

§4-3 结构和电参数90

§4-4 p-i-n阶跃管95

第五章 雪崩渡越时间器件99

§5-1 基本作用原理99

§5-2 雪崩击穿特性101

§5-3 小讯号理论104

§5-4 大讯号分析110

§5-5 谐波对于IMPATT模式的影响和高效率(TRAPATT)模式116

§5-6 结构和设计考虑122

§5-7 雪崩管的噪声128

§5-8 势垒注入渡越时间二极管131

第六章 体效应器件136

§6-1 电子转移和耿氏效应136

§6-2 高场畴139

§6-3 耿氏振荡器143

§6-4 LSA模式148

§6-5 静止畴问题151

§6-6 GaAs以外的半导体154

§7-1 微波双极晶体管162

第七章 微波晶体管162

§7-2 微波场效应晶体管177

§7-3 低噪声晶体管185

§7-4 功率晶体管189

§7-5 工艺问题195

§7-6 目前发展情况196

第八章 微波集成电路198

§8-1 控制电路198

§8-2 参量放大器207

§8-3 混频器216

§8-4 倍频器223

§8-5 微波固体讯号源231

§8-6 微波晶体管放大器239

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