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目录1

第一章　物理概念（李昌猷译）1

1.1　引言1

1.2　锗晶体1

1.3　完美锗晶体中的电子性态3

1.4　晶体的缺陷5

1.5　辐射能缺陷5

1.6　化学杂质缺陷7

1.7　原子无序排列所造成的缺陷10

1.8　能带11

1.9　结14

1.10　二极管作用15

1.11　费密能级17

1.12　晶体管作用19

1.13　点接触型二极管24

1.14　点接触型晶体管26

1.15　光电晶体管27

1.16　锗的制备28

1.17　面接合型晶体管构造30

1.18　点接触型晶体管构造31

第二章　特性曲线、参数、等效电路（李昌猷译）33

2.1　引言33

2.2　晶体管作为电路元件34

2.3　面接合型晶体管的特性曲线；一般考虑36

2.4　共基极特性曲线37

2.5　共发射极特性；z参数40

2.6　共发射极特性；y参数44

2.7　共发射极特性；h参数45

2.8　低频等效电路48

2.9　低频等效电路分析的近似方法49

2.10　线性四端网络50

2.11　无源线性四端网络的等效电路54

2.12　有源线性四端网络的双发生器等效电路55

2.13　有源线性四端网络的单发生器等效电路55

2.14　将晶体管当为线性有源四端网络60

2.15　面接合型晶体管参数的测量63

2.16　辅助对称65

2.17　对称晶体管67

2.18　电流增幅晶体管69

2.19　点接触型晶体管70

2.20　点接触型晶体管的特性曲线和等效电路71

第三章　基本放大器组态（汤国权译）75

3.1　引言75

3.2　基本放大器77

3.3　共发射极放大器79

3.4　共基极放大器82

3.5　共集电极放大器85

3.6　晶体管与电子管电路的直接类似和对偶类似87

3.7　用z参数分析晶体管放大器92

3.8　用h参数分析晶体管放大器106

3.9　晶体管噪声115

3.10　有噪声时晶体管的网络表示法117

第四章　直流偏置电路（汤国权译）125

4.1　引言125

4.2　运用点的建立125

4.3　自偏128

4.4　影响运用点的各种因素131

4.5　Ico对于静止电流的影响133

4.6　αcb的改变对于静止电流的影响136

4.7　集电极电压的稳定性137

4.8　稳定性和偏置的分别控制139

4.9　电流反馈稳定法142

4.10　综合自偏144

第五章　低频放大器（汤国权译）147

5.1　低频放大器的分类147

5.2　晶体管放大器的基本电路148

5.3　电阻电容耦合放大器150

5.4　电阻电容耦合放大器的频率响应154

5.5　电阻电容耦合放大器的自偏156

5.6　电阻电容耦合放大器的设计161

5.7　稳定的电阻电容耦合放大器的实用设计165

5.8　电阻电容耦合放大器的效率168

5.9　变压器耦合170

5.10　阻抗耦合放大器172

5.11　辅助对称放大器173

5.12　放大器控制176

5.13　终端电路179

5.14　晶体管放大器的反馈182

第六章　功率放大器（何羽译）186

6.1　引言186

6.2　面接合型功率晶体管的特性187

6.3　单晶体管功率放大器188

6.4　功率放大器的非线性192

6.5　电流放大系数随发射极电流的变化193

6.6　αcb的非线性对放大器畸变的影响194

6.7　非线性输入阻抗的影响196

6.8　推挽放大197

6.9　倒相器199

6.10　B类放大器200

6.11　B类辅助对称电路204

6.12　B类放大器的高温运用207

第七章　高频运用（何羽译）212

7.1　引言212

7.2　面接合型晶体管中电荷的流动213

7.3　电抗效应216

7.4　通用等效电路217

7.5　本征晶体管的等效电路220

7.6　基层宽度调制224

7.7　实用等效电路226

7.8　运用频率的范围229

7.9　共发射极与共集电极等效电路231

7.10　面接合型晶体管的高频性能234

7.11　短路电流放大系数的讨论243

7.12　用h参数决定电路元件245

7.13　π形电路248

7.14　T形电路251

附录1253

附录2254

第八章 晶体管参数的物理意义（何羽译）259

8.1　扩散问题259

8.2　扩散方程261

8.3　直流边界条件262

8.4　直流解263

8.5　直流特性265

8.6　小信号电导269

8.7　基层宽度调制270

8.8　交流边界条件271

8.9　交？解273

8.10　本？晶体管的短路导纳274

8.11　表面复合278

8.12　短路电流放大系数及其随电流的变化281

8.13　过渡层284

8.14　基层扩展电阻288

8.15　间接合型四极管290

8.16　晶体管参数的温度依从关系291

附录1：电导率关系293

第九章　高频放大器（班冀超译）299

9.1　引言299

9.2　晶体管放大器和电子管放大器在高频？的比较299

9.3　最大功率增益的计算302

9.4　设计狭带和宽带放大器的一般讨论305

9.5　短路稳定晶体管狭带放大器的耦合网络306

9.6　用短路不稳定晶体管的狭带放大器316

9.7　自动增益控制系统318

9.8　宽带放大器324

9.9　用特殊高频晶体管的放大器331

9.10　晶体管高频放大器的中和及单向333

第十章　振荡器（班冀超译）337

10.1　引言337

10.2　持续振荡的条件339

10.3　负电阻二端网络341

10.4　晶体管负电阻电路345

10.5　高频考虑348

10.6　频率稳定350

10.7　晶体控制振荡器353

10.8　振荡器频率倍增器354

10.9　弛张振荡器355

10.10　自猝振荡器360

10.11　四端振荡器361

10.12　通用的四端振荡器362

10.13　科耳皮兹振荡器；起振条件364

10.14　科耳皮兹振荡器；频率稳定365

10.15　哈脱莱振荡器；起振条件367

10.16　哈脱莱振荡器；频率稳定367

10.17　调集电极振荡器368

10.18　晶体控制368

10.19　点接触型晶体管反馈振荡器369

第十一章　调制与解调（班冀超译）371

11.1　晶体管特性曲线的非线性371

11.2　指数曲线所产生的谐波379

11.3　调制放大器381

11.4　平衡调制与辅助对称382

11.5　面接合型晶体管调幅振荡器386

11.6　调频及频率稳定393

11.7　点接触型调制振荡器395

11.8　晶体管混频器397

11.9　变频器407

11.10　二极管检波器408

11.11　集电极检波409

11.12　在集电极检波器及B类放大器中有最小畸变时所需偏压412

11.13　集电极检波器及B类放大器最佳偏压点与温度的关系413

11.14　用非线性元件的运用点稳定法414

12.1　引言419

第十二章　脉冲电路（成众志译）419

12.2 点接触型晶体管的大信号运用422

12.3　触发作用及触发电路426

12.4 点接触型晶体管的触发作用430

12.5　基本单稳电路435

12.6　传输线控制单稳电路444

12.7　几种实用单稳电路446

12.8　基本双稳电路449

12.9　双晶体管双稳电路452

12.10　闸门电路455

12.11　直流运用点稳定法457

12.12　点接触型晶体管的瞬变效应460

12.13　直接触型晶体管的高频等效电路462

12.14　触发电路的稳定性判据463

12.15　发射极高频策动点特性曲线465

12.16　基本双稳电路的开关要求466

12.17　触发电路瞬变效应的图解表示469

12.18　非饱和双稳电路471

12.19　面接合型晶本管脉冲电路472

12.20　面接合型晶体管的大信号运用473

12.21　面接合型晶体？双？电路476

12.22　面接合型晶体管单相电路483

12.23　复式面接合型晶体管元件484

12.24　面接合型晶体管闸门电路485