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目录1

第一章　物理概念（李昌猷译）1

1.1　引言1

1.2　锗晶体1

1.3　完美锗晶体中的电子性态2

1.4　晶体的缺陷4

1.5　辐射能缺陷4

1.6　化学杂质缺陷6

1.7　原子无序排列所造成的缺陷9

1.8　能带10

1.9　结13

1.10　二极管作用14

1.11　费密能级16

1.12　晶体管作用18

1.13　点接触型二极管22

1.14　点接触型晶体管24

1.15　光电晶体管25

1.16　锗的制备26

1.17　面接合型晶体管构造28

1.18　点接触型晶体管构造29

第二章　特性曲线、参数、等效电路（李昌猷译）32

2.1　引言32

2.2　晶体管作为电路元件32

2.3　面接合型晶体管的特性曲线；一般考虑33

2.4　共基极特性曲线34

2.5　共发射极特性；z参数37

2.6　共发射极特性；y参数41

2.7　共发射极特性；h参数42

2.8　低频等效电路44

2.9　低频等效电路分析的近似方法46

2.10　线性四端网络46

2.11　无源线性四端网络的等效电路50

2.12　有源线性四端网络的双发生器等效电路51

2.13　有源线性四端网络的单发生器等效电路51

2.14　将晶体管当为线性有源四端网络55

2.15　面接合型晶体管参数的测量59

2.16　辅助对称61

2.17　对称晶体管62

2.18　电流增幅晶体管64

2.19　点接触型晶体管65

2.20　点接触型晶体管的特性曲线和等效电路66

第三章 基本放大器组态（汤国权译）70

3.1　引言70

3.2　基本放大器71

3.3　共发射极放大器73

3.4　共基极放大器76

3.5　共集电极放大器79

3.6　晶体管与电子管电路的直接类似和对偶类似81

3.7　用z参数分析晶体管放大器86

3.8　用h参数分析晶体管放大器99

3.9　晶体管噪声108

3.10　有噪声时晶体管的网络表示法110

第四章 直流偏置电路（汤国权译）117

4.1　引言117

4.2　运用点的建立117

4.3　自偏119

4.4　影响运用点的各种因素122

4.5　Ico对于静止电流的影响124

4.6　αcb的改变对于静止电流的影响127

4.7　集电极电压的稳定性128

4.8　稳定性和偏置的分别控制130

4.9　电流反馈稳定法133

4.10　综合自偏135

第五章　低频放大器（汤国权译）137

5.1　低频放大器的分类137

5.2　晶体管放大器的基本电路138

5.3　电阻电容耦合放大器140

5.4　电阻电容耦合放大器的频率响应143

5.5　电阻电容耦合放大器的自偏146

5.6　电阻电容耦合放大器的设计150

5.7　稳定的电阻电容耦合放大器的实用设计154

5.8　电阻电容耦合放大器的效率157

5.9　变压器耦合158

5.10　阻抗耦合放大器160

5.11　辅助对称放大器161

5.12　放大器控制164

5.13　终端电路167

5.14　晶体管放大器的反馈169

第六章　功率放大器（何羽译）173

6.1　引言173

6.2　面接合型功率晶体管的特性173

6.3　单晶体管功率放大器175

6.4　功率放大器的非线性178

6.5　电流放大系数随发射极电流的变化179

6.6　αcb的非线性对放大器畸变的影响180

6.7　非线性输入阻抗的影响182

6.8　推挽放大183

6.9　倒相器184

6.10　B类放大器186

6.11　B类辅助对称电路190

6.12　B类放大器的高温运用192

第七章 高频运用（何羽译）196

7.1　引言196

7.2　面接合型晶体管中电荷的流动197

7.3　电抗效应200

7.4　通用等效电路201

7.5　本征晶体管的等效电路204

7.6　基层宽度调制207

7.7　实用等效电路209

7.8　运用频率的范围212

7.9　共发射极与共集电极等效电路214

7.10　面接合型晶体管的高频性能217

7.11　短路电流放大系数的讨论225

7.12　用h参数决定电路元件227

7.13　π形电路229

7.14　T形电路232

附录1234

附录2235

第八章 晶体管参数的物理意义（何羽译）240

8.1　扩散问题240

8.2　扩散方程241

8.3　直流边界条件242

8.4　直流解243

8.5　直流特性245

8.6　小信号电导248

8.7　基层宽度调制249

8.8　交流边界条件250

8.9　交流解251

8.10　本征晶体管的短路导纳253

8.11　表面复合256

8.12　短路电流放大系数及其随电流的变化258

8.13　过渡层261

8.14　基层扩展电阻265

8.15　面接合型四极管266

8.16　晶体管参数的温度依从关系267

附录1：电导率关系270

第九章 高频放大器（班冀超译）275

9.1　引言275

9.2　晶体管放大器和电子管放大器在高频时的比较275

9.3　最大功率增益的计算277

9.4　设计狭带和宽带放大器的一般讨论280

9.5　短路稳定晶体管狭带放大器的耦合网络281

9.6　用短路不稳定晶体管的狭带放大器290

9.7　自动增益控制系统292

9.8　宽带放大器298

9.9　用特殊高频晶体管的放大器305

9.10　晶体管高频放大器的中和及单向306

第十章　振荡器（班冀超译）310

10.1　引言310

10.2　持续振荡的条件312

10.3　负电阻二端网络313

10.4　晶体管负电阻电路317

10.5　高频考虑320

10.6　频率稳定322

10.7　晶体控制振荡器325

10.8　振荡器频率倍增器326

10.9　弛张振荡器326

10.10　自猝振荡器331

10.11　四端振荡器332

10.12　通用的四端振荡器333

10.13　科耳皮兹振荡器；起振条件335

10.14　科耳皮兹振荡器；频率稳定335

10.15　哈脱莱振荡器；起振条件337

10.16　哈脱莱振荡器；频率稳定338

10.17　调集电极振荡器338

10.18　晶体控制339

10.19　点接触型晶体管反馈振荡器339

第十一章 调制与解调（班冀超译）341

11.1　晶体管特性曲线的非线性341

11.2　指数曲线所产生的谐波348

11.3　调制放大器349

11.4　平衡调制与辅助对称351

11.5　面接合型晶体管调幅振荡器354

11.6　调频及频率稳定361

11.7　点接触型调制振荡器362

11.8　晶体管混频器364

11.9　变频器373

11.10　二极管检波器374

11.11　集电极检波375

11.12　在集电极检波器及B类放大器中有最小畸变时所需偏压377

11.13　集电极检波器及B类放大器最佳偏压点与温度的关系379

11.14　用非线性元件的运用点稳定法379

12.1　引言384

第十二章 脉冲电路（成众志译）384

12.2　点接触型晶体管的大信号运用386

12.3　触发作用及触发电路390

12.4　点接触型晶体管的触发作用394

12.5　基本单稳电路399

12.6　传输线控制单稳电路407

12.7　几种实用单稳电路408

12.8　基本双稳电路411

12.9　双晶体管双稳电路414

12.10　闸门电路417

12.11　直流运用点稳定法419

12.12　点接触型晶体管的瞬变效应421

12.13　点接触型晶体管的高频等效电路423

12.14　触发电路的稳定性判据424

12.15　发射极高频策动点特性曲线426

12.16　基本双稳电路的开关要求427

12.17　触发电路瞬变效应的图解表示430

12.18　非饱和双稳电路432

12.19　面接合型晶体管脉冲电路433

12.20　面接合型晶体管的大信号运用434

12.21　面接合型晶体管双稳电路436

12.22　面接合型晶体管单稳电路443

12.23　复式面接合型晶体管元件444

12.24　面接合型晶体管闸门电路445

索引451