《集成电路器件电子学》求取 ⇩

目录1

第一章　电子学和工艺学1

1.1　半导体材料物理2

1.2　晶体中的自由载流子24

1.3　半导体工艺学36

1.4　器件：集成电路电阻61

小结68

习题70

第二章　金属-半导体接触76

2.1 电子系统中的平衡76

2.2　理想化的金属-半导体结80

2.3　电流-电压特性91

2.4　非整流（欧姆）接触100

2.5　表面效应106

2.6　金属-半导体器件：肖特基二极管112

小结116

习题117

第三章　pn结123

3.1　缓变杂质分布124

3.2　pn结130

3.3　反向偏置pn结144

3.4　结击穿150

3.5　器件：结型场效应晶体管160

小结169

习题171

第四章　pn结电流177

4.1　连续性方程177

4.2　产生与复合180

4.3　pn结的电流-电压特性192

4.4 电荷存贮和二极管瞬变过程209

4.5　器件：集成电路二极管220

小结227

习题228

第五章　双极晶体管Ⅰ：基本操作原理236

5.1　晶体管作用237

5.2　有效偏压246

5.3　晶体管开关257

5.4　埃伯斯-莫尔模型263

5.5　器件：平面双极放大和开关晶体管270

小结277

习题279

第六章　双极晶体管Ⅱ：局限性和模型284

6.1　集电极偏压变化效应（厄尔利效应）285

6.2　低、高发射极偏压效应290

6.3　基极渡越时间307

6.4　电荷控制模型311

6.5　小信号晶体管模型326

6.6　计算机模拟双极晶体管模型335

6.7　器件：pnp晶体管341

小结350

习题352

第七章　氧化物-硅系统的特性361

7.1　MOS结构362

7.2　MOS系统的电容371

7.3　MOS电子学375

7.4　氧化物和界面电荷383

7.5　pn结的表面效应390

7.6　MOS电容器和电荷耦合器件（CCD）395

小结401

习题404

第八章　绝缘栅场效应晶体管409

8.1 电流-电压特性411

8.2　IGFET参数424

8.3　MOS集成电路434

8.4　二级近似考虑441

8.5 器件：离子注入IGFET450

小结457

习题460