《模拟集成电路抗辐射加固技术》求取 ⇩

目录1

电离辐射环境中709集成运算放大器的特性分析与模拟试验1

709放大器特性衰降的精确预测和质量保证5

集成运算放大器的IEMP效应研究10

运算放大器中子衰降的人工分析技术19

108型运算放大器的总剂量辐射加固的研究28

108A运算放大器的辐射总剂量均匀性研究36

在加固系统中应用的运算放大器44

集成电压调整器的辐射效应及其加固分析57

一种简单有效的加固功率放大开关模式方式65

中国电子学会可靠性与质量管理学会可靠性抗核辐射专业学组成立72

一种流行的加固SG1524脉宽调制器73

D/A转换器辐射损伤的计算机辅助分析79

CMOS/SOS铝栅D/A转换器及其诊断晶体管的辐射效应88

A/D转换器（AD571）电离辐射效应的SEM分析94

抗辐射CMOS8位A/D转换器101

DC/DC转换器失效模式的测量和预测技术109

两种辐射加固的模拟转换开关114

核辐射灵敏开关电路120

抗辐射功率电路124

用于线性电路的辐射加固CMOS器件127

适度中子环境下双极晶体管和集成电路的辐射加固保证指南132

钝化材料的核辐射效应引起的器件性能退化141

电离辐射对扩散电阻的影响148

光屏蔽对光电流补偿集成电路的影响157

氯化氢吸除、掺铬和注铝对加固二氧化硅的影响162

瞬态辐射加固结隔离集成电路的筛选方法168

瞬态辐射加固结隔离工艺175

LSI/VLSI制备工艺的辐射加固特性178

一种用于LSI的介质隔离辐射加固工艺182

一种同时生产辐射加固互补线性双极和线性CMOS金属栅器件的工艺187

抗辐射电路的耐熔栅工艺194

用于辐射加固的氢退火氮化物／氧化物介质结构198

氮化硅钝化对高精度运算放大器抗总剂量辐射性能的影响204

一种抗辐射的线性宏单元阵列208

微电路内部元件的易损性分析213

109～1012拉德（硅）／秒下MSI的测试219

用于计算机辅助系统分析的复杂线性微电路简化端点模型223

线性集成电路电离辐射效应的扫描电镜分析230

用于加固的可靠性筛选和工艺设计的SEM辐射240

测试条件对MOS辐射加固结果的影响244

HS-3516RH型高转换率宽带抗辐射运算放大器253

HS-3530RH低功耗抗辐射程控运算放大器258

HS-3546RH型抗辐射高性能运算放大器264

HS-4602RH型抗辐射高性能四运算放大器272

HS-508ARH型过压保护抗辐射8通道CMOS模拟多路开关281

HS-1840RH抗辐射高阻输入保护16通道CMOS模拟多路开关288

HS-15530RH型抗辐射CMOS Manchester编／译码器295