《半导体手册 第15编 参量放大器》求取 ⇩

目录1

第一章 概述1

1.1 历史背景1

1.2 参量放大器的分类和名称1

第二章 基础理论5

2.1 非线性电抗的基本特性5

2.1.1 上边带方式7

2.1.2 下边带方式7

2.2 用小信号理论进行分析7

2.2.1 频率fp所激励的非线性电容的特性7

2.2.2 用外电路将一切无用边带短路进行分析8

2.2.3 用外电路将无用边带开路进行分析11

2.3 调制和解调12

第三章 参量放大器晶体二极管14

3.1 非线性电容晶体二极管的理论14

3.1.1 耗尽层电容14

3.1.2 扩散电容16

3.2 参量放大器晶体二极管的设计17

3.2.1 晶体二极管的特性常数17

3.2.2 优值的分析19

3.3.2 Q值和截止频率的测量25

3.3.1 阻抗的测量25

3.3 晶体二极管特性的测量法25

3.4 晶体二极管的特性29

3.4.1 阻抗特性29

3.4.2 噪声特性31

3.4.3 温度特性32

3.4.4 特性一览表34

3.5 新型晶体二极管35

3.5.1 能减少串联电阻Rs的结构35

3.5.2 能增大参数激励系数的结构36

3.5.3 行波型39

4.1.1 用外电路将一切无用边带短路进行分析40

第四章 下边带参量放大器40

4.1 晶体二极管的优值40

4.1.2 用外电路将一切无用边带开路进行分析42

4.1.3 参量放大器的等效电路43

4.2 负电阻46

4.3 放大电路的结构47

4.4 放大增益48

4.4.1 直接放大49

4.4.2 变换放大51

4.4.3 两种放大器的比较51

4.5 频带宽度52

4.6 噪声指数54

4.6.1 变换放大55

4.6.2 直接放大56

4.6.3 下边带参量放大器的噪声指数最小条件57

4.6.4 有RL存在时的噪声指数58

4.6.5 双边带接收的噪声指数58

4.6.6 最适工作点59

4.6.7 用冷却方法降低噪声61

4.7.1 激励功率的变动62

4.7 稳定性62

4.7.2 激励频率的变动63

4.7.3 晶体二极管的温度特性63

4.7.4 偏压的变动63

4.7.5 循环传输器的温度特性63

4.7.6 直接放大与变换放大的稳定性的比较64

4.7.7 消除不稳定因素的方法64

4.8 设计例67

4.8.1 直接放大67

4.8.2 变换放大70

4.8.3 双边带接收71

5.1 放大增益73

第五章 上边带参量放大器73

5.2 噪声指数最小条件74

5.3 放大增益最大条件76

5.4 总噪声指数最小条件78

5.5 频带与稳定性78

5.6 设计例79

5.7 发射变频器80

第六章 行波型参量放大器84

6.1 相位条件85

6.1.1 输入为f1和f2两种成分时的增益85

6.2.1 放大增益的单向性88

6.2 放大特性88

6.1.2 行波型参量放大器的相位条件88

6.2.2 频带、噪声指数89

6.3 设计例90

第七章 特殊方式92

7.1 上下边带其用方式92

7.2 低频激励方式93

7.2.1 张氏方法94

7.2.2 荷甘方法95

7.3 作为限幅器的动作96

7.4 作为不可逆元件的动作97

参考资料99