《美国固体物理研究工作情况》

一、半导体1

引言1

（一）半导体材料方面2

（二）集成电路技术方面6

（三）光电器件方面8

（四）特殊器件与新工艺方面10

（五）半导体物理方面11

二、晶体生长13

（一）概况13

（二）晶体材料情况13

（三）晶体生长的某些工艺技术14

（四）晶体生长的理论工作16

三、晶体结构17

（一）X射线光源17

（二）探测技术17

（三）结构分析自动化18

（四）中子衍射20

四、磁学20

（一）强磁场和极弱磁场技术及其应用21

（二）磁泡材料和器件的研究22

（三）非晶态合金23

（四）墨水（磁性液体）喷射技术24

（五）稀土硫属化合物24

（六）短程磁有序合金的研究25

（七）磁共振26

（八）穆斯包尔效应28

（九）临界现象、磁相图（磁相变）及磁结构29

五、固体表面研究情况32

六、高压物理37

（一）概况37

（二）固体在高压下的结构与相变的研究38

（三）固体状态方程的研究39

（四）金属氢的研究40

（五）高压下矿物的合成与其性质的研究40

（六）高压技术41

（一）理想导电材料42

七、超导42

（二）约瑟夫逊结器件44

（三）超导计算机等45

八、光谱工作46

（一）激光拉曼散射46

（二）可调激光47

（三）付里叶变换光谱47

九、其它48

（一）特殊材料48

（二）新器件50

（三）新实验技术50