《微处理机·微算机原理与应用 计算机基本原理》求取 ⇩

目录1

　导论1

-1 计算机的一般结构 21

-2 计算机的发展　41

-6-5　Hollerith码　482

-6-4　8数元码　　452

-6-3 7字元码 412

-6-2 6字元码 412

-6-1 5字元码 402

-6 文数字码 392

-5-4 格雷码转换为二进码 382

-5-3 二进码转换为格雷码 372

-5-2 非加权性数码 362

-5-1 加权性数码 352

-5 BCD码 342

-4-5 十六进制→八进制 342

-4-2 十六进制→二进制 322

-4-1 二进制→十六进制 322

　数目系统与数字码系统2

习题 182

参考资料 182

-5-3 同步BCD计数器 823

-5-2 同步二进位正数——倒数计器 813

-5-1 同步二进位计数器 813

-5 同步计数器　　803

-5-4 具有并行载入的二进位计数器　823

-4-1 二进位涟波计数器 773

-4 涟波计数器 773

-3-5 并行载入双向移位暂存器　 753

-3-4 资讯的串列转移 723

-3-3 移位暂存器 723

-6 解码器与解多工器　863

-6-1 解码器（数码转换器）　863

-6-2 解多工器　893

-6-3 编码器 903

-7 多工器与多工暂存器 923

-8 时序电路 953

-8-1 语句时间产生电路 953

-8-2 时序产生器 963

-8-3 詹森计数器 983

-4-2 BCD涟波计数器 793

-1-5　互斥或闸（XOR闸） 543

参考资料 483

习题 483

　数位电路基础3

-1 基本逻辑闸电路 513

-1-1 OR与NOR闸 513

-1-2 AND与NAND闸 533

-1-3 NOT闸 533

-1-4 布林代数的基本性质 543

-3-2 并行载入暂存器 693

-1-6　逻辑闸的等效 573

-1-7 三态逻辑闸电路 593

-2 正反器 603

-2-2 J-K正反器 623

-2-3 T型正反器 633

-2-4　D型正反器 643

-2-5 锁定电路 643

-3 暂存器 653

-3-1 暂存器与锁定电路 663

-2-5　浮点表示法　1194

-3　BCD加法与其电路　　1224

-4　二进制的乘法运算与电路　　1254

-5　二进制的除法运算与电路　　1304

-5-1　恢复式除法　　1314

-5-2　非恢复式除法　　1334

-2-4　定点表示法　　1184

-6　逻辑运算　1344

-6-1　基本逻辑运算　　1344

-6-2　移位运算　　1354

-6-3　比较器　1374

-6-4　错误侦测电路　　1444

-7　MSI—算术逻辑单元　　1464

-1-3　串加器　　1044

-1-2　全加器　　1044

参考资料 1004

习题 1014

　算数与逻辑运算4

-1　加法和加法器电路　　1034

-1-1　半加器　　1034

-2-3　2补数表示法　　1164

-1-4　并加器　　1064

-1-5　前瞻进位加法器　　1084

-2　数目表示法　　1104

-2-1　带号大小表示法　　1114

-2-2　补数表示法　　1134

-16　磁鼓记忆器 2615

-16-1　储存媒体及推动 2625

-16-2　读／写头 2635

-16-3　控制器 2635

-17　磁碟记忆器 2645

-17-1　储存媒体及驱动 2655

-15　资料记录方法 2585

-17-2　读／写头 2665

-17-3　控制器 2665

-18　软性磁碟 2675

-18-1　储存媒体及资料排列 2685

-18-2　存取时间 2695

-18-3　读／写头 2695

-14　大容量记忆装置 2565

-13-6　PLA的应用 2555

-13-5　IM5200PLA 2545

-13-4　DM8575/8576PLA 2525

-13-3　PLA的扩展 2485

-13-2　PLA的规划 2465

-13-1　PLA的结构 2445

-13　可规划逻辑阵列（PLA及其应用） 2435

-12-5　ROM应用于计算机中之微程式规划 2415

-12-4　ROM在循序逻辑的应用 2395

-12-3　ROM在数学函数的应用 2345

-12-2　ROM在字元产生器的应用 2305

-12-1　ROM在组合逻辑的应用 2255

-12　ROM的应用 2245

-21-3　输入电路 2875

-23-3　控制系统与除错 3065

-23-2　资料之存取 3055

-23-1　记忆媒体 3045

-23　光盘记忆器 3045

-22-3　磁泡记忆器结构 3035

-22-2　磁泡的物理结构与运动 3005

-22-1　磁泡的形成 2995

-22　磁泡记忆器 2995

-21-6　2416/2464 CCD记忆器 2935

-21-5　CCD记忆器结构 2895

-21-4　输出电路 2875

-18-4　资料储存格式 2705

-21-2　CCD装置的转移参数 2855

-21-1　CCD的构造及工作原理　　2815

-21　电荷耦合装置（CCD） 2815

-20-2　重复记录法 2805

-20-1　记录方法及资料格式 2795

-20　卡式磁带装置 2785

-19-3　读／写头与资料格式 2775

-19-2　储存媒体 2775

-19-1　盘式磁带装置 2765

-19　磁带记忆器 2765

-18-6　控制器 2745

-18-5　资料记录方法 2725

-4-3 电流暂态及其效应 1715

-2-3 记忆单元的选取方式 1565

-6-2 一致电流记忆器存取 1785

-6-1 基本结构及存取原理 1765

-6 磁芯记忆器 1745

-5 双极性电晶体RAM 1735

-4-4 更新 1725

-4-2 实例说明——2116(4116)　1665

-4-1 基本原理 1645

-4 动态RAM 1645

-3-3 记忆器之扩展 1625

-3-2 实例说明——2114 1625

-3-1 基本原理 1605

-3 静态RAM 1605

-6-3　一致电流记忆器结构 1795

-2-2 记忆器之分类——存取方式 1545

-2-1 记忆器之分类——位置区分 1535

-2 记忆器之分类 1535

-1-4 记忆器的相关术语定义 1535

-1-3 暂时性与永久性记忆器 1525

取 1525

-1-2 非破坏性读取与破坏性读5

-1-1 记忆单元 1515

-1 记忆器单元导论 1515

　记忆器5

习题　　1495

参考资料　　1485

-11-3　CMOS EEPROM 2235

-8-6　动态MOS ROM 1995

-11-2　MNOS EEPROM 2215

-11-1 SIMOS EEPROM 2185

-11　电气规划／清除ROM(EEPROM；EAROM) 2175

-10-3　Intel 2716 2145

-10-2　MOS EPROM的清除 2135

-10-1　Intel 2708 2095

-10　可规划／清除ROM(EPROM)　 2095

-9-2 MOS PROM的规划 2065

-9-1 双极性PROM的规划 2025

-9 可规划ROM(PROM) 2025

-8-7　ROM的发展趋向 2005

-6-4　三维记忆器 1845

-7-3 商用双极性TTL CAM　 1915

-6-5　二维记忆器 1855

-6-6　2 1/2 维记忆器 1865

-7　内含可定址记忆器（CAM） 1875

-7-1 CAM的用途 1875

-7-2 MOS CAM 1885

-8-5　树枝矩阵的MOS ROM　 1985

-8 ROM 1935

-8-1 双极性ROM 1955

-8-2 双极性ROM的规划 1955

-8-3 MOS ROM 1965

-8-4　MOS ROM 1985

-3-4 移位电路设计与分析 3246

-3-5 资讯处理单元动作分析　3256

-4 控制单元分析与设计 3276

-4-1 控制单元的结构 3286

-4-2 控制单元电路设计举例　3316

-3-3 状态暂存器 3216

-4-3 资讯处理单元控制说明 3386

-5 微处理机动作原理 3396

-5-1 处理器单元结构 3406

-5-2 指令摘取与执行 3416

-5-3 指令解码与CM之关系　3436

-2-1 暂存器间之资料转移 3116

-3-2 算术逻辑单元 3206

-3-1 资料处理单元结构 3166

-3 资料处理单元 3156

-2-5 移位运算 3146

-2-3 记忆器资料转移 3126

-2-2 多工器与三态逻辑闸 3126

-1 暂存器转移语言（RTL） 3096

　微处理机动作原理6

习题 3076

参考资料 3066