《数位积体电子学 上、下》求取 ⇩

第一章电子原件1

1.1 理想的半导体二极体1

1.2 二极体随温度变化的特性5

1.3 二极体过渡电容6

1.5 积体电路中的二极体7

1.4 稽纳二极体9

1.6 电晶体当作开关使用10

1.7 电晶体特性的解析式子12

1.8 截止时的电晶体16

1.9 饱和状态时的电晶体开关18

1.10 依伯—莫耳方程式应用於饱和状态20

1.11 场效应电晶体27

1.12 金—氧—半导体场效应电晶体33

1.13 MOS开关37

1.14 MOSFET开关的输入—输出特性39

1.15 互补对称MOSFET40

1.16 输入防护44

1.17 二极积的开关速率45

1.18 储存时间及过渡时间47

1.19 肖特基二极体48

1.20 双极电晶体的开关速率49

1.21 FET元件的开关速率53

1.22 上升及下降时间和延迟54

参考资料56

习题56

2.1 运算放大器63

第二章运算放大器与比较器63

2.2 虚接地64

2.3 运算65

2.4 输出阻抗68

2.5 运算放大器之电子学69

2.6 整体放大器72

2.7 利用一个运算放大器之非反相放大72

2.8 非反相放大器之阻抗73

2.10 补偿75

2.9 实用之讨论75

2.11 共模斥拒比76

2.12 运算放大器之特性77

2.13 比较器79

2.14 积体电路比较器80

2.15 积体电路比较器之计算81

2.16 比较器之特性87

2.17 史密特触发电路88

2.18 史密特触发器之例子92

参考资料94

习题95

第三章逻辑线路101

3.1 引言101

3.2 单一二值变数的函数102

3.3 二个二值变数的函数103

3.4 OR函数105

3.5 NAND运算及NOR运算106

3.6 互斥或运算109

3.8 逻辑变数111

3.7 其他的变数111

3.9 0,1之符号114

3.10 必要及充分的运算115

3.11 布林代数的定理117

3.12 例题121

3.13 二进位数系统123

3.14 格式反射二进码125

3.15 逻辑函数的标准形式—乘积和127

3.16 标准形式—和项之积130

3.17 逻辑函数最小项及最大项之说明132

3.18 逻辑函数的卡诺图形表示法134

3.19 二个，三个，四个变数的卡诺图表示法137

3.20 用卡诺图来化简逻辑式子139

3.21 K图上更多项的合并142

3.22 五个及六个变数的卡诺图144

3.23 K图之用法146

3.24 函数不表成最小项时之图示法151

3.25 用NAND或NOR闸之合成153

3.26 未完全述明的函数155

习题157

第四章电阻器—电晶体逻辑（RTL）和积体—注入逻辑(IIL)163

4.1 电阻器—电晶体逻辑163

4.2 直接—耦合电晶体逻辑（DCTL）闸164

4.3 DCTL闸的电流贪取168

4.4 电阻器—电晶体逻辑（RTL）168

4.5 扇出171

4.6 串接RTL闸的输入—输出电压特性177

4.7 RTL缓冲器182

4.8 RTL的互斥—或闸186

4.9 厂商规格187

4.10 并联RTL闸189

4.11 工作电压规格192

4.12 传播延迟时间193

4.13 积体—注入逻辑196

4.14 IIL的实际规划201

4.15 IIL解磁器205

4.16 电流和电压埠位206

参考资料207

习题207

第五章二极体—电晶体逻辑213

5.1 二极体—电晶体（DTL）闸213

5.2 扇出217

5.3 积体电路DTL闸219

5.4 输入—输出特性222

5.5 DTL闸的厂商规格225

5.6 线逻辑—AND接线228

5.7 高临限逻辑（HTL）231

5.8 HTL闸的输入—输出特性232

5.9 厂商规格234

参考资料235

习题235

第六章电晶体—电晶体逻辑241

6.1 电晶体电晶体逻辑241

6.3 输入电晶体243

6.2 TTL和DTL的比较243

6.4 主动牵起245

6.5 输入输出特性曲线——在忽略输入电晶体的情形下247

6.6 输入电晶体的输入输出特性曲线254

6.7 多射极电晶体257

6.8 TTL闸输入电晶体的电压电流特性曲线258

6.9 TTL闸的输出特性曲线260

6.10 厂商的数据或规格263

6.11 供应电压所流出的电流267

6.12 TTL闸的类型268

6.13 肖特基TTL闸273

6.14 TTL闸的其他逻辑274

参考资料275

习题275

第七章射极耦合逻辑281

7.1 引言281

7.2 ECL闸282

7.3 ECL电晶体的电压283

7.4 转换特性曲线：OR端之输出284

7.5 NOR端的输出288

7.6 厂商的规格——转换特性曲线289

7.7 扇出290

7.8 工作的速度292

7.9 偏压的温度补偿294

7.10 ECL闸的逻辑转用297

7.11 负供应电压297

7.12 电位转移300

7.13 ECL闸的连接302

参考资料309

习题310

第八章金属—氧化—半导体闸315

8.1 解析MOSFETS的方程式315

8.2 温度效应318

8.3 MOS反相器319

8.4 CMOS反相器321

8.5 CMOS反相器转移特性的计算321

8.6 MOS闸324

8.7 MOS闸的上升时间326

8.8 下降时间328

8.9 CMOS闸330

8.10 CMOS闸的上升和下降时间331

8.11 厂商规格332

8.12 BJT闸和CMOS闸之间的介面连接334

参考资料337

习题337

第九章正反器341

9.1 引言341

9.2 专有名词341

9.3 正反器当做一个记忆单元342

9.4 利用非及闸之正反器344

9.5 无齿震开关346

9.6 校时的正反器347

9.7 正反器之交连：主从正反器351

9.8 交流耦合边缘触发正反器356

9.9 校时交流耦合正反器359

9.10 电容性储存正反器361

9.11 传播延迟正反器362

9.12 JK正反器364

9.13 D－型正反器366

9.14 RTL SR正反器368

9.15 DTL正反器369

9.16 RTL传播延迟正反器373

9.17 ECL正反器374

9.18 JK交流耦合ECL正反器376

9.19 厂商之规格说明380

9.20 TTL JK正反器380

9.21 MOS正反器383

习题386

第十章记录器与计数器393

10-1 移位记录器393

10-2 校时396

10-3 串联—并联数据转换396

10-5 右移—左移记录器397

10-4 端回进位397

10-6 纹波计数器398

10-7 改进计数器速度的方法402

10-8 非二进位计数器406

10-9 3－模计数器406

10-10 5－模计数器409

10-11 锁定412

10-12 各种模数计数器之组合414

10-13 其他计数器之设计416

10-14 朝上—朝下纹波计数器418

10-15 朝上—朝下同步计数器420

10-16 环式计数器421

10-17 序列产生器423

习题431

第十一章算术运算439

11-1 两个二进数目的相加439

11-2 全加器441

11-3 串加器442

11-4 并加法445

11-5 两个以上数目的相加447

11-6 快速加法器：前瞻进位450

11-7 减法453

11-8 互补数455

11-9 在暂存器中正负数的表示法459

11-10 经由互补的减法及加法461

11-11 2－互补数的加法及减法462

11-12 1－互补数的加法及减法463

11-13 一连串正负数的加法及减法465

11-14 饱和加法器466

11-15 定比467

11-16 乘法472

11-17 除法474

11-18 算术逻辑器（ALU）475

习题477

第十二章半导体记忆器483

12-1 记忆器的种类483

12-2 移录器依序记忆器485

12-3 MOS暂存器级488

12-4 两相非比率移录器493

12-5 四相非比率暂存器级495

12-6 CMOS暂存器级496

12-7 静态移录器级499

12-8 一个三相静态暂存器级501

12-9 仅读记忆器503

12-10 ROM的实际制作506

12-11 可计程和可抹除ROM507

12-12 ROM的应用508

12-13 双载子接面电晶体随意出入记忆单元510

12-14 其他的双载子电晶体记忆单元513

12-15 由MOS构成的RAM515

12-16 RAM的结构522

12-17 半导体记忆器积体电路晶方的并联524

12-18 电荷耦合元件（CCD）528

12-19 电荷的储存方式530

12-20 电荷的迁移532

12-21 输入和输出的配置535

习题537

第十三章类比开关544

13-1 类比闸之基本操作原理544

13-2 交换线路的应用545

13-3 二极体传输闸555

13-4 双极性接面电晶体闸570

13-5 FET闸573

13-6 运算放大器574

13-7 一负载为OP-Amp的FET576

13-8 抽样保持电路579

13-9 FET闸驱动器586

13-10 CMOS闸589

13-11 类比开关的应用591

13-12 S/H放大器之厂商规格595

习题597

第十四章类比到数位变换器603

14-1 引言603

14-2 抽样定理604

14-3 多时分工607

14-4 量化608

14-5 对比电阻D/A变换器612

14-6 R-2R梯形D/A变换器615

14-7 D/A变换器开关619

14-8 电流驱动D/A变换器622

14-9 转化梯形D/A变换器626

14-10 D/A变换器的输入与输出样式630

14-11 D/A变换器的特性634

14-12 D/A变换器：比较器并联型637

14-13 连续近似变换器644

14-14 计数变换器649

14-15 双斜度变换器652

14-16 各类型变换器的比较655

14-17 利用电压频率变换的变换器655

14-18 利用电压时间变换的变换器658

14-19 A/D变换器的特性660

14-20 S/H与A/D变换器间之连系661

14-21 微量调变663

14-22 适应微量调变（ADM）667

习题670

第十五章计时线路678

15-1 互补金氧半多谐振荡器678

15-2 互补金氧半非稳态多谐振荡器685

15-3 ECL闸单稳态多谐振荡器687

15-4 短计时间段多谐振荡器692

15-5 积体电路TTL单稳态多谐振荡器695

15-6 积体电路计时器698

习题701

附录传输线711

A-1 引言711

A-2 特性阻抗714

A-3 反射714

A-4 多重反射716

A-5 波形上升时间的效应718

重要厂商规格721

索引731