《电晶体电路全集》

第一章半导体物理1

1-1 锗与矽原子1

1-2 锗与矽晶体2

1-3 纯质锗与矽之导电3

1-4 电洞观念5

1-5 外质半导体7

第二章p·n接头二极体13

2-1 p-n接头13

2-2 p-n接头之整流性质15

2-3 半导体二极体之电流电压特性17

第三章大信号二极体近似解25

3-1 理想二极体25

3-2 实际二极体之第二近似解31

3-3 实际二极体之第三近似解34

3-4 利用二极体近似解37

3-5 逆向电流近似解38

3-6 齐纳三极体40

3-7 齐纳二极体第二近似解44

4-1 重叠定理53

第四章小信号二极体近似解53

4-2 重叠定理用於电路中55

4-3 二极体交流电阻63

4-4 二极体交流电阻公式65

4-5 使用重叠定理於二极体电路70

4-6 逆向区域之二极体电容75

第五章共同基极近似解85

5-1 术语与线路符号85

5-2 电晶体之偏压87

5-3 共同基极电晶体电流电压特性89

5-4 电晶体之Alpha92

5-5 理想电晶体94

5-6 使用重叠定理分析共同基极电路100

5-7 复杂交流等效电路103

5-8 共同基极分析公式109

5-9 电压与电流记号118

第六章共同射极近似解127

6-1 共同射极连接电流电压特性127

6-2 电晶体之Beta130

6-3 理想共同射极电晶体131

6-4 电晶体基极偏压135

6-5 电晶体射极偏压138

6-6 分析共同射极电晶体电路144

6-7 射极偏压级电压增益150

6-8 电源电阻效应154

6-9 真空管与电晶体之转换157

7-1 共同集极连接基本观念169

第七章共同集极近似解169

7-2 导出共同集极公式171

7-3 达灵顿（Darlington）一对181

第八章大信号工作189

8-1 直流负载线189

8-2 负载线解释交流信号197

8-3 交流负载线200

8-4 获得最大未剪波信号206

8-5 p-n-p负载线210

8-6 共同射极连接之负载线213

8-7 共同集极连接之负载线217

8-8 阴极随耦器交流负载线220

第九章偏压安排229

9-1 β灵敏度之观念229

9-2 基极偏压231

9-3 射极回授之基极偏压234

9-4 集极回授之基极偏压238

9-5 集极与射极回授之基极偏压243

9-6 二电源供给之射极偏压247

9-7 单一电源供给之射极偏压253

9-8 灵敏度之比较260

9-9 接地点之位置261

9-10 P-N-P位晶体之偏压264

第十章交流工作277

10-1 共同射极工作277

10-2 共同射极电路之？流分析279

10-3 射极回授288

10-4 共同集极工作296

10-5 共同基极工作300

10-6 信号电源电阻效应304

10-7 稳定信号电源至输出之电压增益307

10-8 P-N-P工作312

10-9 接地点313

10-10 最大信号摄取能力314

第十一章串级327

11-1 电阻电容交流327

11-2 二级回授334

11-3 电感交连340

11-4 变压器交连342

11-5 调谐放大器347

11-6 直接交连放大器350

第十二章温度效应361

12-1 射极接头电阻之改变361

12-2 β之改变363

12-3 VBE之改变364

12-4 基极接地电路之泄漏电流367

12-5 射极接地之泄漏电流372

12-6 稳定因素375

13-1 电阻电容交连放大器之响应387

第十三章频率响应387

13-2 典型共同基极级之低频截止388

13-3 共同基极级之高频截止392

13-4 共同射极放大器低频截止396

13-5 电晶体截止频率400

13-6 基极分布电阻403

13-7 共同射极级高频限制405

13-8 串级响应409

14-1 h参数观念417

第十四章h参数417

14-2 网路之输入阻抗423

14-3 使用h参数之电压增益427

14-4 电晶体之h参数429

14-5 理想共同集极电晶体之h参数432

14-6 理想共同射极电晶体之h参数436

14-7 h参数之转换441

14-8 对h参数之实际观察443

第十五章场效电晶体449

15-1 接头场效电晶体449

15-2 JFET泄极曲线组450

15-3 JFET的偏压453

15-4 JFET的交流操作456

15-5 源极随耦器459

15-6 空乏-增强型MOSFETs460

15-7 增强型MOSFETs464

15-8 MOSFETs的偏压465

15-9 MOSFETs电路的交流分析467

15-10 FET与变极电晶体的对比469

16-1 变抗二极体477

第十六章特殊二极体477

16-2 步级回复二极体479

16-3 萧特基二极体482

16-4 反向二极体483

16-5 透纳二极体484

16-6 p-i-n二极体486

第十七章闸闩装置495

17-1 理想闸闩495

17-2 四层二极体500

17-3 矽控整流器（SCR）505

17-4 其他类的SCR512

17-5 矽控开关（SCS）513

17-6 Diac515

17-7 Triac516

17-8 单接头电晶体（UJT）518

17-9 UJT电路522

第十八章光电装置531

18-1 光射二极体531

18-2 光射二极体的排列533

18-3 雷射二极体534

18-4 光电阻539

18-5 光二极体540

18-6 光电晶体542

18-7 光侦测器的排列545

18-8 光隔绝器546

参考书目553

问题答案555

希腊符号569

索引572