《Colloque international surles dispositifs a semiconducteurs Vo1.1》

CHAPITRE PREMIER27

Diodes de références Diodes et Triodes PN-PN27

An alloy diffused voltage reference diode for high stability and low temperature coefficientW.H.HUNTER et K.P.P.NAMBIAR27

Diodes régulatrices au silicium B.LESAGE36

Temps de recouvrement et caractéristique directe des diodes jonction au silicium B.BAZIN47

La caractéristique inverse des diodes au silicium diffusées G.DUMAS59

Effets de traitements thermiques sur les caractéristiques des diodes P-N P-N M.CHAPPEY et M.MENORET74

A silicon switching transistor W.V.MUNCH et H.SALOW89

CHAPITRE Ⅱ97

Transistors haute fréquence97

Transistors au silicium obtenus par double diffusionA.FROMAGEOT,P.MICHELET et Mme R.SAINTESPRIT97

La structure Mesa à double diffusion appliquée au silicium BRUNET,ENCINAS,LENOIR,SALLES118

The planar transistor family V.H.GRINICH et J.A.HOERNI132

Construction d’un transistor du type《 Mesa 》 J.MERCIER et M.BEGUERIE143

Theoretical current gain of a cylindrical Mesa transistor D.P.KENNEDY et P.C.MURLAY161

Program diffusion means for higher alpha cut-off frequency A.NIEDERMEYER177

Transistors haute fréquence au silicium de types P-N-P et N-P-N F.TRIGOLET et R.LENOIR187

Intermetallic transistors Dr M.E.JONES,E.C.WURST,H.L.HENNEKE193

Alloy-diffused transistors with alpha exceeding unity W.ROSINSKI201

High frequency transistors by the alloy-diffusion technique W.EDLINGER209

The spread in electrical parameters between experimental alloyed junction transistors of the same type P.PREHN216

Influence de I’effet tétrode interne sur I’impédance de base d’un tran-sistor par tirage R.M.HENRY282

CHAPITRE Ⅲ237

Transistors de puissance237

Some aspects of the design of power transistors for high-frequency amplification and for high-speed high-current switchingD.D.JONES,B.A.I.DAVIS,L.J.FEY237

The problem of making high-frequency power transistors A.A.MASLOV253

Essai d’interprétation physique de certaines caractéristiques des transistors de puissance J.GROSVALET257

Transistors with low saturation voltage Dr G.SCHWABE271

Le phénomène de pincement sur les transistors de puissance en commutation J.THIRE277

Evaluation théorique et expérimentale des tensions de claquage dans les transistors D.TJAPKIN et D.J.BUGARINOVIC294

CHAPITRE Ⅳ311

Transistors divers311

Investigation of surface losses in drift transistorsJ.VINE et K.J.CAVE311

Transistor drift J.MERCIER319

Experimental investigations of Ge-transistors with wide gap emitters K.JOTTEN et H.DIEDRICH330

Le transistor Mesa au germanium—Comparaison entre les para-mètres électriques mesurés et les valeurs calculées à partir d’un schéma équivalent BRUNET et ENCINAS341

Nouvelles structures pour transistors par tirage R.M.HENRY352

CHAPITRE Ⅴ359

Dispositifs à effet tunnel359

Tunnel diode product designW.R.CADY359

Theory and experimental characteristics of a tunnel triode Dr S.AMER et Dr W.FULOP369

Principe,technologie et applications des diodes tunnel P.LECLERC388

Germanium tunnel diode W.WAGNERBERGER397

GaAs tunnel diodes and some of their applications R.GREMMELMAIER,H.J.HENKEL,E.KLEIN,E.BUDER402

The design and construction of tunnel diodes Dr G.N.ROBERTS et J.PRZYBYLSKI410

Production methods of tunnel diodes,tunnel transistors and mul-tiple layer tunnel diodes M.MICHELITSCH428

CHAPITRE Ⅵ435

Dispositifs à effet de champ435

Etude d’un élément tétrode à effet de champJ.GROSVALET435

Le transistor《mesa》à effet de champ(M.E.D.C.) J.BEJAT et M.SAVELLI453

Sur les nouvelles structures du tecnetron S.TESZNER461

La réalisation industrielle du tecnetron et ses applications M.LEGAGNEUX et B.FUM？E488

Low temperature field effect transistor using dislocation planes H.F.MATARE499

First order analysis of hypercritical field operation and compared per-formances of field effect devices Dr A.V.J.MARTIN et J.LE MEE516

The design of a new type of germanium constant current diode J.S.LAMMING et A.D.WESTON544

CHAPITRE Ⅶ553

Diodes paramétriques553

Détermination technologique des diodes paramétriquesA.REGEFFE553

Technology of germanium microalloyed variable capacitance diodes for parametric amplifiers J.KLAMKA564

CHAPITRE Ⅷ571

Photopiles et Thermopiles571

Etude physique et théorique du fonctionnement des cellules solaires photovoltaiquesF.DESVIGNES571

Comparaison entre les propriétés théoriques et expérimentales des cellules solaires au silicium C.BEAUZEE615

Lifetime evaluation in P-N junctions by the use of spectral response curves P.LAMOND,Dr B.DALE635

Germanium grain boundary photocells Dr H.A.SCHELL643

Microphotodiode symétrique au silicium A.BOBENRIETH650