《Colloque international surles dispositifs a semiconducteurds Vo1.2》
| 作者 | 编者 |
|---|---|
| 出版 | 未查询到或未知 |
| 参考页数 | 858 |
| 出版时间 | 没有确切时间的资料 目录预览 |
| ISBN号 | 无 — 求助条款 |
| PDF编号 | 811343128（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
PREMIERE PARTIE Emploi des elements a semiconducteurs13
CHAPTER PREMIER Thyratrons15
CHAPTER Ⅱ Circuits a impulsions99
CHAPTER Ⅲ Circuits amplificateurs207
CHAPTER Ⅳ Dispositifs parametriques et a reactance variable311
CHAPTER Ⅴ Emploi des diodes tunnel385
CHAPTER Ⅵ Microelevtronique453
CHAPTER Ⅶ Mesures509
CHAPTER Ⅷ Action des particules nucleaires587
CHAPTER Ⅸ Equipements631
DEUXIEME PARTIE FiabiIite663
CHAPTER PREMIER Generalites665
CHAPTER Ⅱ Donnees physiques et technologie703
CHAPTER Ⅲ Methodes de mesures-Essais-Resultats769
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