《高技术污染》

目 录1

第一章“一种新污染”的产生1

——费尔柴尔德事件1

第二章硅谷发出警告8

2.1高技术污染的“发达地区”8

2.2严重的地下水污染12

2.3充满危险的硅谷21

2.4对工作人员的影响29

3.1美国的环境保护运动39

第三章为净化污染所采取的行动39

3.2政府的行政措施44

3.3工业界的相应措施53

3.4从硅谷可以学到些什么60

第四章半导体工业的实际状况64

4.1半导体工业的特点64

4.2尖端技术同环境问题之间的关系70

4.3半导体工厂的物料平衡72

4.4有机溶剂73

4.5有机溶剂的问题76

4.6氟利昂的问题（CFCs）78

4.7有毒气体83

4.8砷化镓91

4.9高技术污染的经济学问题93

第五章日本的高技术污染97

5.1 君津市东芝元件工厂的地下水污染97

5.2全日本蔓延的地下水污染104

5.3东芝公司太子工厂——日本最早确认的高技术污染实例108

5.4面对地下水污染危机的熊本115

5.5 以半导体工厂排水作为水源的宫崎市120

5.6多摩河沿岸的地下水污染125

第六章如何保护环境131

6.1化学品的法律规定131

6.2要求写明全部使用物质的《公害防治协定》——北上市和岩手东芝电子公司138

6.3排水闭路循环和控制有毒气体的《公害防治协定》——馆山市和HMB（日铁）半导体公司142

6.4高技术污染的防治147

后记151

参考文献154

原书作者简介158

译者简介159