《电力电子器件》

目 录1

绪论1

第一章半导体物理基础1

第一节 量子论简述1

第二节 波函数和薛定锷方程8

第三节 晶体的能带19

第四节 平衡载流子浓度计算32

第五节 非平衡载流子40

第六节 载流子的运动49

习题60

参考文献62

附录63

［A1-1］电子能量与波矢的关系63

［A1-2］波包的运动速度65

［A1-3］复合率公式66

第二章PN结69

第一节 概述69

第二节 PN结的伏安特性75

第三节 PN结反向击穿89

第四节PN结的电容效应104

第五节 二极管端部的金属化110

第六节 二极管的特性分析114

习题124

参考文献125

附录二126

［A2-1］缓变结正向电流表达式126

［A2-2］线性结的雪崩击穿电压128

［A2-3］P+一i-N+二极管1区电压降UM的表达式129

第三章功率晶体管132

第一节 概述132

第二节 晶体管的直流短路电流增益135

第三节 晶体管的反向漏电流与击穿电压146

第四节 大功率晶体管150

第五节 晶体管的开关特性164

第六节 功率MOS场效应晶体管172

习题184

参考文献184

附录三185

［A3-1］晶体管的低频小信号参数185

第四章晶闸管187

第一节 概述187

第二节 阻断特性195

第三节 门极特性206

第四节 开通特性上211

第五章 关断特性225

第六节 耗散功率与散热236

第七节 应用举例240

习题250

思考题250

参考文献250

附录四251

（A4-1］注入效率表达式251

［A4-2］基区输运因子表达式252

［A4 3］dIA/dIg表达式254

［A4-4］阴极短路点中心点间的横向电压降Uy表达式255

［A4-5］温升与散热分析257

第五章特殊晶闸管261

第一节 高频晶闸管261

第二节 逆导晶闸管273

第三节 双向晶闸管278

第四节 场控晶闸管284

第五节 其他晶闸管290

思考题293

参考文献293

附录五294

［A5-1］挤流速度与蓄积时间294

［A5-2］下降时间297

第一节 太阳电池的发展299

第六章大功率光电器件299

第二节 太阳光与半导体300

第三节 常规硅太阳电池304

第四节 背面场硅太阳电池312

第五节 聚光硅太阳电池313

第六节 其他太阳电池315

习题317

思考题317

参考文献317

［A6-1］太阳光的聚集318

附录六318

第七章器件特性测试320

第一节 晶闸管电参数测试320

第二节 基本参数测量325

第三节 太阳能电池特性测试329

参考文献332

附表333

附表一 典型半导体材料的本征特性333

附表二 硅和锗半导体材料的性质333

附表三 常用物理常数334

附表四 方块电阻的修正系数335