本书采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物(BiI3、Li3Bi、SbI3、AsI3)和过渡金属化合物(Mo2BC、Mo3AI2C)在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。

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