当今CMOS集成电路的特征尺寸已进入了纳米时代。本书全面介绍了纳米CMOS集成电路技术。包括纳米尺度下的器件物理、集成电路的制造工艺和设计方法；介绍了存储器、专用集成电路和片上系统；突出了漏电功耗问题和低功耗设计，讨论了工艺扰动和环境变化对集成电路可靠性和信号完整性的影响。书中还包括了有关纳米CMOS集成电路的测试、封装、成品率和失效分析，并在最后探讨了未来CMOS特征尺寸缩小的趋势和面临的挑战。本书基于作者长期在Philips和NXP Semiconductors公司讲授CMOS集成电路内部课程时出版的三部专著的内容，并参考当今工业界最先进的水平对这些内容进行了全面修订和更新，这保证了本书内容与集成电路工业界的紧密联系。

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