本文主要针对氢化硅薄膜介观力学行为和耐高温压力传感器这两个问题展开了理论与实验的研究。对射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统进行了改造，制备了氢化硅薄膜，成功地进行了磷或硼的掺杂。用拉曼谱揭示了氢化硅薄膜的晶粒平均大小和晶态比；用椭偏仪测试了所制备薄膜的厚度；用X射线衍射谱对薄膜微结构和材料性能的进行了比较。以相同的工艺在玻璃和单晶硅衬底上制备了本征或掺磷(硼)的纳米硅薄膜，对不同衬底上纳米硅薄膜进行了对比研究。基于高灵敏度纳米硅薄膜压力传感器的研究，进行了耐高温压力传感器的研究。

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