本书首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术,并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数;然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。

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