《表1 催化剂的结构性质》

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《高比表面积有序介孔Ni/SiC催化CH_4-CO_2重整反应》

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图6为催化剂的H2-TPR谱图。由图6可知，Ni/SiC-C催化剂在大约396℃处出现单一还原峰，这归属于自由NiO的还原。说明在Ni/SiC-C催化剂中Ni物种和载体之间相互作用较弱。相比之下，Ni/SiC-OM催化剂在大约586℃处出现单一还原峰，表明催化剂中Ni物种与介孔SiC载体之间存在强相互作用。目前，多数学者认为，催化剂中强金属-载体相互作用能够有效限制Ni颗粒的长大，同时抑制积炭的生成[21]。因此，在Ni/SiC-OM催化剂中Ni物种与载体SiC之间的强相互作用与低积炭速率之间存在很大的相关性。图7为新鲜催化剂的Ni 2p3/2（a）和Si 2p（b）XPS谱图。由图7可知，新鲜Ni/SiC-C和Ni/SiC-OM催化剂均在856.0和862.2 eV处出现了分别归属于Ni 2p3/2的主峰和卫星峰。另外，Ni/SiC-OM的INi/ISi强度比低于Ni/SiC-C，说明更多Ni物种进入有序介孔孔道内。