《表3 Si Nx薄膜致密性的三因素极差值》

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《InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术》

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图2是SiNx薄膜腐蚀速率的正交实验结果图，表3是气体比例、RF功率和腔室压力三因素的极差值。结合图2和图1可知，当SiH4/N2比值是1.06时应力值最小，但腐蚀速率最大，即该工艺条件对应的SiNx薄膜致密性最差。在SiH4/N2比值为1.22时，SiNx薄膜应力值小于150 MPa，腐蚀速率为23 nm/min，满足钝化膜基本要求。腐蚀速率与RF功率和腔室压力的相关性较弱，基本保持在150 nm/min的水平，这同样能从极差值中观察到。当RF功率增大，反应物的等离子体能量随之增大，使其对衬底的溅射作用增强，在沉积过程中能够不断地扫除疏松的离子团，进而改善薄膜致密性。因此，在选择RF功率时可考虑较大的功率值。