《表2 Si Nx薄膜应力的三因素极差值》

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《InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术》

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图1是SiNx薄膜应力的正交实验结果，表2是气体比例、RF（radio frequency）功率和腔室压力三因素的极差值。从图1中可以观察到随着SiH4/N2比值的增加，SiNx薄膜应力状态发生改变，其中SiH4/N2比值为1.06时应力值最小，呈拉应力状态。随着RF功率增大，应力值增大，并从拉应力变为压应力状态，RF功率为0时应力最小。SiNx薄膜应力却是随着腔室压力的增加呈降低趋势。