《表2 Al2O3、AlF3沉积工艺参数》

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《超短紫外到近红外宽波段增透膜的研制》

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薄膜的制备是在OPCO-900真空镀膜机上完成的.该设备配有双e型电子枪、阻蒸系统、考夫曼离子源、双探头晶控、SQC-310膜厚控制仪.基片JGS1放入真空室之前，先使用超声波清洗机清洗，然后将基片放入真空室工件盘上，调整工件盘转速为80r/min后开始抽真空，真空环境中加温至290℃.在真空度4×10-3Pa时打开考夫曼离子源轰击基片表面，达到清洁基片，提高基片活性的目的.清洗10min后关闭离子源继续抽真空至3×10-3 Pa开始蒸镀，具体工艺参数见表2.