《表2 LP-CVD沉积薄膜工艺参数》

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在装炉之前，用RCA标准清洗法（是在Princeton N J的RCA实验室首创的，并由此得名）清洗硅片去除硅片表面的氧化层或者金属化层，按表2的工艺参数在反应室内进行薄膜沉积。沉积Si3N4的源气体为二氯硅烷（H2Si Cl2）和氨气（NH3），通入的流量比为6∶1，增加硅含量能减小张应力，还能减小在HF中的腐蚀速率，结合压强和沉积温度，薄膜产生的残余应力约为125 MPa[8]。Si O2薄膜的源气体为H2Si Cl2和NO2，残余应力约为200 MPa[9]，均为内应力的一部分，结合前文计算的外应力即能粗略地估计总应力