《表2 键合片上不同位置图形的刻蚀深度》

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《基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀》

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本文选择了尺寸较大的结构测量刻蚀的深度和均匀性，如表2所示，其中弹性梁处刻蚀区的宽度为8μm，释放孔的尺寸为50μm×50μm，长线条的宽度为20μm。由表2可以看出，左侧结构的刻蚀深度与其他位置的刻蚀深度差异较大，这有可能是左侧掩膜腐蚀不完全造成的。测量结果显示，弹性梁、释放孔和长线条的刻蚀深度的平均偏差分别为1.41%、0.75%和0.66%，最大偏差分别为4.82%、3.20%和2.25%，片上刻蚀的最大不均匀性小于5%，证明ITO薄膜用于键合片的刻蚀效果是能够满足生产需求的。