《表1 4英寸晶圆上不同位置的光刻胶图形和ITO线条的宽度》

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《基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀》

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本文对一个4英寸晶圆上特征尺寸为4μm、采用正锥形光刻胶剥离的100 nm厚的ITO图形不同位置的尺寸进行了统计，如表1所示，四个边侧位置距离晶圆边缘约1 cm。其中光刻胶采用正胶AZ6130，匀胶转速2 500 r/min，胶厚约3.5μm。光刻胶曝光后的线条尺寸略大于设计尺寸，在剥离ITO薄膜后，线条基本实现等尺寸转移，最大转移偏差小于4.5%。经过统计分析，ITO线条宽度的平均偏差为1.38%、最大偏差为3.27%，光刻胶图形的宽度的平均偏差为1.23%、最大偏差为4.22%，证明该方法的加工精度能够满足一定的生产要求。