《表8 体二极管特性拟合效果比较》

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《Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合》

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将Si C MOSFET功率器件内部的体二极管的伏安特性曲线看作关于结温Tj的函数，即uds=f（Tj，id），使用BP人工神经网络进行拟合，其拟合结果如图21和表8所示，呈负温度特性。