《表1 样品编号：以Cu_2Se和Bi_2Te_3为基底的纳米拓扑绝缘体电磁吸收的研究》

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《以Cu_2Se和Bi_2Te_3为基底的纳米拓扑绝缘体电磁吸收的研究》

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通过机械合金化过程合成掺入一定量杂质的Cu2Se和Bi2Te3纳米拓扑绝缘体材料。将高纯度的Cu2Se粉末和Fe粉按物质的量20:1的比例均匀混合，再把混合物与若干直径介于5～12mm之间的钢球一起倒入可放入高强度球磨机内的密封金属罐中，球料比为20:1，并将其移至充满高浓度氩气的手套箱内进行封罐。确保密封罐内为高纯Ar气氛围后采用GN-2型高能球磨机，在工作电压为100V，工作转速控制在600r/min的条件下，分别球磨1h及5h后制备得到掺Fe的纳米Cu2Se拓扑绝缘体。为了让得到的材料充分冷却并且防止过热的纳米粉体与空气接触发生化学变化，将罐体从球磨机内取出，移至充满Ar气氛围的手套箱中进行开罐操作，并在高纯Ar气的环境里静置12h，待样品钝化完全后取出封装；用相同的方法和步骤制备球磨时间不同的掺Fe纳米Bi2Te3材料。球磨1h的Cu2Se材料命名为样品a，球磨5h的Cu2S材料命名为样品b，球磨1h的Bi2Te3材料命名为样品c，球磨5h的Bi2Te3材料命名为样品d。