《表2 X射线衍射谱图数据》

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《氮氩比对大功率脉冲磁控溅镀(AlCrNbSiTiV)N薄膜性能的影响》

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目前的研究显示，在没有主元素的条件下，高熵合金结晶由各种元素相互固溶而形成单一无序的BCC（体心立方）或FCC（面心立方）结构[5]。在氮氩比为10%时得到的（AlCrNbSiTiV）N薄膜的XRD谱图及相关数据见图3和表2。可见薄膜具有单一的FCC固溶体结构，无明显的相分离。这是由于TiN、VN、CrN、AlN和SiN都是FCC结构[3]。该结果与文献[3]的研究结果相似，表明（AlCrNbSiTiV）N中的高熵效应可以稳定固溶相。