《表4 断裂叶片裂纹源区能谱分析结果w (%)》

《表4 断裂叶片裂纹源区能谱分析结果w (%)》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《超临界机组低压转子叶片断裂原因分析》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

图6为断裂叶片裂纹源的电子显微镜扫描照片(SEM)。可以看出,裂纹源为一腐蚀坑,坑深约0.4 mm,坑内有腐蚀产物,裂纹源附近的扩展区断裂为准解理断裂。表4为腐蚀坑内和断口扩展区的能谱分析结果。可以看出,腐蚀坑内物质含有较多的氧元素及Si元素,推断为氧化腐蚀产物及硅酸盐类垢盐。断口扩展区含有较多的氧元素,表面发生一定程度的氧化,未见Si元素。扩展区断裂为准解理断裂,断口平整,为穿晶断裂。