《表2 逆变器主要运行参数》

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《一种基于调节缓冲电容的IGBT热管理方法》


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热管理调节电路中,电容采用无感电容以减小寄生参数的影响,开关器件采用金属—氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistor,MOSFET),其寄生的反向二极管可以为电容放电提供回路。实验平台电路主要参数如表2所示。根据第4节推导的调节能力估算方法,可以估算出在表2的工况下,该热管理方法最大可以平滑10%负载变化造成的结温波动,如图11所示。