《表1 15周期SiGe/Si生长工艺参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《多周期SiGe/Si异质纳米结构薄膜的制备研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

多周期异质单晶薄膜材料均在双生长室超高真空化学气相沉积系统（UHVCVD）完成的。基于前期优化的材料外延生长参数，在n-Si(100）（电阻率为0.1-1.2Ω·cm）衬底上，根据表1工艺参数，外延了15周期Si Ge/Si多量子阱结构样品。