《表2 不同方法下短路保护测试相关数据》

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《碳化硅基直流固态断路器短路保护方法》

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表2给出了不同方法下短路保护测试的相关数据。可见，与其他两种方法相比，基于源极寄生电感的“软关断”电路，在保证SiC MOSFET安全工作的前提下短路保护时间略有延长，但降低了器件关断时的电压应力，同时有效抑制了短路峰值电流，大大提高了器件的可靠性。