《表1 B4C–TiB2复相陶瓷中各组元含量》
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以不同含量配比的B4C(粒径3.2μm)、TiB2(粒径0.2μm)为原料,添加固定含量的Si(粒径2.4μm)、C(粒径0.5μm)作为烧结助剂,经混料、球磨、干燥、研磨、过筛、干压成型、冷等静压成型后在氩气环境下进行无压烧结,烧结温度为2 150和2 200℃,保温时间为1 h。实验中所使用的原料皆为市售粉体,其中B4C纯度≥99%,TiB2、C、Si粉体的纯度为99.9%。适量的烧结助剂C和Si的加入能够有效的提高复相陶瓷的致密度和烧结能力[14]。不同成分的B4C–TiB2–C–Si粉体体系的各组元含量如表1所示。按照烧结温度将样品分为2组,2 150和2 200℃的对应编号分别为1、2;每种烧结温度下,按照TiB2的质量分数(10%、15%、20%、30%)将试样编号为T10、T15、T20、T30。如1T10表示为2 150℃条件下TiB2质量分数为10%时烧结制备的复相陶瓷。
图表编号 | XD00132376800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.03.01 |
作者 | 李宗家、张佳敏、程焕武、王扬卫、朱宇、安瑞 |
绘制单位 | 北京理工大学材料学院、北京理工大学材料学院、北京理工大学材料学院、冲击环境下材料技术重点实验室、北京理工大学材料学院、冲击环境下材料技术重点实验室、北京理工大学材料学院、北京理工大学材料学院 |
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