《表1 样品电化学阻抗测试的拟合参数》

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《三维多孔石墨烯电极的构建及其电容性能》

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为进一步深入研究三维多孔石墨烯电极的电迁移性能，探讨其电容性能差异的本质，分别对GO，E-8P，E-5P和E-4G电极进行交流阻抗测试，图7为得到的尼奎斯特图.其中散点图为测试得到的交流阻抗数据，而实线图是通过拟合得到的数据.左上角的插图是其等效电路图，其中Rs是内部电阻，主要包括电解液电阻，活性物质固有电阻以及活性物质与集电器接触界面的电阻.Rct为电荷转移电阻，Cdl为双电层电容，W为Warburg阻抗[19-21].表1为数据拟合后得到的数据，从表1中可以看出E-8P，E-5P以及E-4G电极的Rs值逐渐减小，分别为2.72，1.96和1.19Ω.这是由于深度还原后电极的sp2杂化结构区域增多，提高了电子迁移率，因而使得活性物质本身固有电阻减小.Rs值越小，电化学反应速度越快，反应效率更高.这与前面的电容结果相一致，体现了甘氨酸和酸性磷酸缓冲溶液的优越性.W表现为曲线后部成一定斜率的直线，斜率越大电容性能越好，这和拟合后得到的Cdl值和计算后得到的比电容Cs结果相一致，E-4G表现出最佳的电容性能.