《Si基多层膜材料的理论和实验研究》
点击下载 ⇩| 文件编号： | KEYAN666481230666 |
|---|---|
| 下载格式： | Word/DOC（PDF已转Word） |
| 中图分类： | TN304.055,TN304.13,TN304.01 |
| 完成/联系人 | 杨宇 吴兴惠 毛旭 周桢来 张树波等 杨宇 吴兴惠 |
| 来源省份： | 云南 |
| 完成单位： | 云南大学 |
| 科研日期： | 2003 |
| 研究行业： | 电子器件制造 |
| 研究主题： | Si基多层膜材料,硅薄膜材料,半导体薄膜,纳米晶薄膜, |
| 联系地址： | 云南省昆明市五华区翠湖北路52号 |
传媒
该项目针对Si薄膜材料进行了系统的理论和实验研究。理论方面首先建立了Si基薄膜的数据库；完成了Si基材料能带计算；计算、模拟了小角X-射线衍射谱、Raman谱和Si基多层膜的生长机理，并应用于Si基多层膜设计；提出非晶钉扎成核的晶化模型。实验制备出以Ge/Si、Co/Si为代表的半导体/半导体、金属/半导体Si基多层膜材料；采用复合靶溅射技术制备出Sil-xGex纳米晶(10-500nm)薄膜并进行光学特性和微结构特性的表征；于玻璃、非晶Si衬底上生长出Ge晶体并探索了上述材料在红外传感器件方面的应用。在国内外学术刊物上公开发表科研论文27篇，其中SCI收录4篇，EI收录7篇；申报国家发明专利一项，取得了突出的创新研究成果，在国际、国内同行中产生一定的影响，为学术界公认，推动了本学科的发展。
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