《新型氧化锌半导体薄膜的制备科学及其光电性能控制方法研究》
点击下载 ⇩| 文件编号： | KEYAN666306517666 |
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| 下载格式： | Word/DOC（PDF已转Word） |
| 中图分类： | TN304.0 |
| 完成/联系人 | 李效民 于伟东 高相东 边继明 张灿云 袁雅琴 |
| 完成单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 科研日期： | 2007 |
| 研究行业： | |
| 研究主题： | 半导体薄膜,光电性能控制,氧化锌,, |
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| 联系地址： | 上海市长宁区定西路1295号 |
传媒
该项目是上海市科委重点基础研究计划，主要创新结果如下：1、研制出脉冲激光沉积－超声喷雾热分解方法联用制备薄膜的新装置，可以实现两种方法交替原位生长高质量薄膜。并得到了高质量的ZnO薄膜的最佳生长工艺。2、研究了籽晶层晶体质量、表面形貌和厚度的控制方法，分析了籽晶层对超声喷雾热分解方法生长薄膜的诱导机制，成功制备出高度C轴取向的ZnO薄膜。3、分析并提出了N掺杂以及N－铝（In）共掺杂ZnO薄膜的P型掺杂机理。4、针对ZnO薄膜制备方法－微观结构－光电性能之间的内在关联，提出了通过选择合适的制备方法和条件来调控ZnO薄膜的光电性能。该项目实施过程中发表SCI收录论文15篇，申请发明专利2项。于2007年1月17日通过上海市科委的验收。
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