《高压高温研制高性能锑掺杂P型ZnO晶体》

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该项目在国内外首次采用高压高温制备技术,从热力学的三个维度出发,通过理论计算和技术创新,突破了P型ZnO晶体材料受主元素掺杂浓度低、电学稳定性和重复性差等技术瓶颈,重点解决了锑掺杂P型ZnO晶体材料的透明度、重掺杂和晶体生长重复性等技术方面的问题。研制出具有自主知识产权的稳定和可重复生长的高质量p型ZnO/Sb晶体材料,该项目申请的专利已授权(制备p型氧化锌半导体体材料的方法,专利号ZL200810050450.6)。在此基础上,以p型ZnO/Sb晶体为基质材料,制备出同质p-i-n结并实现了电致发光。根据国内外查新和专家评审,该项目研究结果比国际上采用其它方法制备的P型ZnO性能更优,为p型ZnO的制备、应用和理论研究提供了新方法与新产品。

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