《热电子微波发生器》求取 ⇩

第一章 半导体物理导论1

1.1 基本假设1

1.2 有效质量近似4

符号表7

目录7

1.3 布里渊区8

1.4 多谷半导体9

1.5 态密度11

1.6 电子碰撞12

1.7 晶体的晶格振动14

1.8 声子17

1.9 声子的吸收和发射20

1.10 声子-电子的动量和能量交换22

2.1 引言26

第二章 碰撞理论和热电子26

2.2 平均自由时间28

2.3 动量和能量弛豫时间30

2.4 分布函数33

2.5 玻耳兹曼方程35

2.6 玻耳兹曼方程的解38

2.7 有能量损失时的解42

2.8 速度饱和45

2.9 守恒方程和实际近似48

问题53

第三章 转移电子和耿氏效应55

3.1 引言55

3.2 电子转移的基本理论59

3.3 电子转移的计算机理论65

3.4 速度-电场特性的实验测量68

3.5 扩散、能量输运和散射率70

3.6 畴的形成和耿氏效应74

3.7 其它材料中的耿氏效应79

问题80

第四章 不稳定性和波81

4.1 引言81

4.2 小信号分析82

4.3 电荷载流子波85

4.4 小信号阻抗89

4.5 电场的再分布93

4.6 具有非线性电场的阻抗98

4.7 生长波和负阻抗的实验观察101

问题103

5.2 等面积定则105

5.1 引言105

第五章 畴动力学105

5.3 零扩散极限条件下的畴特性109

5.4 有限扩散的效应113

5.5 畴的形状120

5.6 与时间相关的理论：修正的等面积定则123

5.7 畴形成时间126

5.8 畴的等效电路128

5.9 畴致逻辑131

问题135

第六章 耿氏振荡器137

6.1 引言137

6.2 高n·L和n/f乘积条件下的谐振模式理论139

6.3 利用畴电荷改进效率148

6.4 最佳波形154

6.5 实际的振荡器155

6.6 耿氏二极管的制造160

问题166

第七章 空间电荷控制模式167

7.1 功率限制167

7.2 功率阻抗乘积169

7.3 限累（LSA）模式中的空间电荷控制173

7.4 限累模式的功率和效率176

7.5 激励限累模式180

7.6 多畴模式、混合模式以及串联工作183

7.7 低频负电导189

问题190

第八章 雪崩击穿191

8.1 引言191

8.2 离化率的理论196

8.3 雪崩倍增理论200

8.4 离化率的测量203

8.5 速度饱和的测量209

8.6 p-i-n二极管的直流特性211

8.7 热线的形成216

第九章 雪崩击穿中的动力学概念219

9.1 引言219

9.2 雪崩区的动态方程227

9.3 里德二极管230

9.4 里德二极管的大信号效应234

9.5 均匀雪崩区242

问题246

第十章 雪崩器件248

10.1 引言248

10.2 多均匀层近似：电流比250

10.3 小信号阻抗255

10.4 振荡的生长速率259

10.5 里德二极管的大信号分析（计算机理论）262

10.6 微波电路268

10.7 异常Impatt模式272

10.8 制造技术282

10.9 器件参数的测量285

问题289

第十一章 振荡器的一般特性291

11.1 引言291

11.2 振荡条件292

11.3 频率锁定295

11.4 噪声理论296

11.5 频率调谐305

问题308

1.5 态密度309

附录309

3.2 双温度电子转移模型310

4.3 有限半导体中的波313

4.6 小信号阻抗316

5.4 畴的数学计算318

6.2 C类开关振荡器322

7.6 串联谐振电路中猝灭模式的理想化模型：混合模式效应的修正325

8.2 离化率的理论327

8.6 p-i-n二极管的特性330

9.3 拉莫-肖克莱定理332

9.5 均匀雪崩区的波动解334

11.2 福斯特电抗和斯莱特微扰定理337

12 其它的热载流子器件339

参考文献344