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目录1

第一部分 轻合金非晶态材料及异质材料界面的物性1

〔一〕高强度非晶态轻合金的魅力3

一、非晶态铝合金的性质3

二、非晶态镁合金的性质9

三、非晶态轻合金材料的制造方法11

四、铝基非晶态合金的应用前景12

〔二〕开发新的电子复合材料14

一、异种材料的叠层结构及其问题15

二、异质结构外延生长的实际情况16

三、EBE—外延生长方法17

〔三〕化合物半导体界面的物性及应用22

一、界面能级的分布和界面相关性23

二、统一的DIGS模型25

三、界面的精巧结构26

四、界面能级的电子行为28

五、由界面控制层控制界面物性28

第二部分 开发新的金属磁性材料35

〔一〕微细磁铁的风采35

一、开发微细磁畴的测试方法36

二、微粒子试样的制备和分析36

三、微细化的磁畴40

〔二〕通向超强磁铁的道路47

一、铁基合金磁铁49

二、铁氧体磁铁51

三、稀土类磁铁52

〔三〕向磁性大规模集成电路（LSI）挑战56

一、磁性元件显微化56

二、磁器件微型化的几个应用实例59

第三部分 混晶电子学67

〔一〕混晶电子学简介67

〔二〕混晶半导体生长的原子模型70

一、准平衡生长法的原子生长机制70

二、非平衡生长法的原子生长机制74

〔三〕混晶半导体的微观结构77

一、实验观察77

二、问题的提出79

三、理论分析结果80

〔四〕混晶半导体的缺陷85

〔五〕超晶格混晶中的量子波现象91

第四部分 集离子束技术的基础和应用99

〔一〕集离子束技术总论99

第七部分 新的表面分析技术99

一、ICB法形成原子团的机理100

二、ICB法蒸镀设备102

三、ICB法制成的薄膜的应用103

〔二〕集离子束技术的成膜机理109

一、ICB法成膜的影响因素109

二、ICB法的成膜过程及其控制110

三、ICB法控制结晶生长113

〔三〕集离子束技术制备金属、化合物薄膜118

一、用ICB方法制备薄膜118

二、用反应ICB方法制备薄膜122

三、用ICB－微波离子源方法制备薄膜123

〔四〕集离子束技术制备有机物薄膜126

一、用ICB技术制备有机薄膜126

二、用ICB技术蒸镀蒽薄膜128

三、用ICB技术蒸镀铜酞菁（CuPC）薄膜129

四、用ICB技术制备聚乙烯（PE）薄膜130

第五部分 有机化学资源137

〔一〕碳质液晶化学和碳纤维137

一、碳纤维的特点和用途137

二、碳纤维的制造原理和存在问题138

三、沥青基碳纤维的可能和课题138

四、碳质液晶的结构和性能139

五、碳质液晶的调制140

六、碳质液晶的纺丝143

七、液晶沥青纤维的不融化反应机构及促进144

八、用延伸碳化法提高取向性145

九、碳质液晶的利用146

十、碳纤维的碳被覆146

〔二〕碳纤维上被覆金属的新型复合材料148

〔三〕用化学修饰法开发纤维素的功能155

一、生物医学材料化155

二、通过控制分子聚集状态进行功能开发158

〔四〕碳氟化合物系气体材料和臭氧问题161

一、碳氟化合物的特性162

二、代替CFC氟里昂的开发164

〔一〕分子设计概念169

第六部分 分子设计的基础169

〔二〕通过合成主体进行分子识别172

〔三〕从高自旋分子到有机强磁体180

一、分子设计的必要性和基本方针180

二、高自旋有机分子的设计和构筑181

三、在分子间使自旋排齐的研究186

四、分子铁氧体磁体187

〔四〕通过电子的授受进行分子设计189

一、Phenalenyl类的结构和电子特性189

二、多阶段两性氧化还原体系的分子设计190

三、高电子供与性及受容性碳氢化合物193

四、今后的展望195

〔一〕软X射线用多层膜199

一、超薄膜成膜过程的现场观测200

二、光化学气相沉积法用耐热多层膜滤光器206

〔二〕用拉曼散射法观测表面（界面）——作为表面评价技术的拉曼光谱211

一、拉曼散射法是什么样的方法211

二、物质性质与激子的关系214

三、用拉曼散射法分析表面物质性质214

四、拉曼散射法的优点与存在问题217

〔三〕表面原子图像的观察和原子水平的分析219

一、借助于电子束激发X射线全反射角分光法（电子束TRAXS）对表面原子点阵结构的研究220

二、应用离子束AES、离子束TRAXS的表面研究223

三、凭借新的表面原子排列结构观察装置而开发的表面研究224

〔四〕观察表面原子结构的新分析器226