《光电导物理及其应用》求取 ⇩

第一章光电导物理1

1.1 光的吸收1

1.1.1 半导体的光学常数2

1.1.2 光的吸收4

1.1.3 本征吸收6

1.1.4 杂质吸收9

1.1.5 激子吸收10

1.1.6 自由载流子吸收11

1.1.7 晶格吸收12

1.1.8 晶格振动时对电子跃迁的影响12

1.1.9 带隙的确定13

1.2 有关光电导的基本概念15

1.2.1 寿命16

1.2.2 寿命的种类16

1.2.3 光电灵敏度17

1.2.4 捕获截面17

1.2.5 不存在陷阱时的简单复合动力学18

1.2.6 准费米能级20

1.2.7 陷阱能级与复合能级的分界线22

1.3 绝缘光电导体的几种简单复合过程25

1.3.1 单组复合中心(低光照)25

1.3.2 单组复合中心(强光照)26

1.3.3 单组复合中心与陷阱(低光照)27

1.3.4 单组复合中心与陷阱(强光照)28

1.3.5 过渡情况28

1.3.6 电子掺杂29

1.4 若干光电特性的解释29

1.4.1 i＝常数，τ0∝ｆ-130

1.4.2 Ip∝ｆ?(0.5＜α＜1)31

1.4.3 敏化33

1.4.4 超线性34

1.4.5 红外与温度淬灭35

1.5 复合机理36

1.5.1 辐射复合36

1.5.2 非辐射复合37

1.5.3 俄歇复合38

1.6 复合动力学39

1.6.1 普遍的数学公式39

1.6.2 各种复合下的寿命公式42

1.6.3 普遍公式应用举例48

1.6.4 光电导的上升与衰减曲线53

1.7 空间电荷限制流56

1.7.1 无陷阱情况下的空间电荷限制流56

1.7.2 存在陷阱情况下的空间电荷限制流58

1.7.3 瞬变效应60

1.8 增益-带宽积61

1.9.1 一般公式65

1.9 噪声65

1.9.2 光电导噪声(无陷阱情况)66

1.9.3 光电导噪声(有陷阱情况)67

1.10 电极效应69

1.10.1 中性接触69

1.10.2 阻挡接触70

1.10.3 欧姆接触71

1.10.4 氧化锡透明导电层73

1.11 一面为悬浮电位的光电导体的待性分析76

1.11.1 应用例子76

1.11.2 “记录”时的电流增益76

1.11.3 视象管靶面的阅读与恢复78

参考文献82

第二章非晶半导体的物理基础83

2.1 非晶半导体的特点和分类83

2.1.1 非晶半导体的特点83

2.1.2 非晶半导体的分类87

2.2 非晶半导体的物质结构88

2.2.1 非晶半导体的物质结构88

2.2.2 非晶半导体的结构模型90

2.2.3 关于无序的一些概念91

2.3 非晶半导体的化学键结构92

2.3.1 共价结合的化学键理论92

2.3.2 杂化轨道93

2.3.3 由化学键了解非晶半导体的能带结构94

2.4 渗流理论95

2.4.1 渗流过程和渗流阈95

2.4.2 拓扑无序体系的渗流和连续体的渗流98

2.5 非晶态物质的电子论98

2.5.1 固体能带论回顾98

2.5.2 定域态——Anderson理论102

2.5.3 迁移率边104

2.5.4 态密度分布105

2.5.5 Mott-CFO能带模型107

2.6 非晶半导体中的缺陷及掺杂108

2.6.1 缺陷的形成109

2.6.2 缺陷定域态110

2.6.3 非晶半导体中的费米能级112

2.6.4 非晶半导体中的掺杂113

2.7 非晶半导体的电特性114

2.7.1 电导率σ(ω)的普遍公式——Kubo-Greenwood公式114

2.7.2 定域态的电导——跳跃式导电116

2.7.3 态隙中定域态电子的导电117

2.7.4 非晶半导体的直流电导率118

2.7.5 交流电导率121

2.7.6 迁移率123

2.7.7 温差电动势率125

2.7.8 接触与表面127

2.8.1 非晶半导体光吸收的一般特性130

2.8 非晶半导体的光学性质130

2.8.2 吸收边131

2.8.3 光致发光133

2.9 非晶半导体的光电特性134

2.9.1 一般特点134

2.9.2 光电导方程136

2.9.3 光电导方程举例138

2.9.4 S.W效应142

2.10 非晶光电导薄膜物理参量的测量143

2.10.1 场效应法测量非晶薄膜的隙态密度分布143

2.10.2 漂移迁移率的测量149

2.10.3 非晶薄膜的红外光谱153

参考文献154

第三章光电导型摄象管156

3.1 光电导型摄象管的发展史156

3.2 光电导型摄象管的工作原理157

3.3 摄象管的主要参量158

3.4 光电导摄象管靶面的一般工作原理161

3.4.1 靶表面电位的变化161

3.4.2 灵敏度与靶面时间常数的关系163

3.5 注入型靶面164

3.5.1 摄象管对注入型靶面材料的要求164

3.5.2 Sb2S3光电导摄象管167

3.6.1 阻挡型靶面的种类170

3.6 阻挡型靶面理论170

3.6.2 阻挡层降低光电导惰性的分析174

3.6.3 MIS靶面的伏安特性176

3.6.4 阻挡型靶面的最佳厚度179

3.7 阻挡型靶面视象管181

3.7.1 硒砷碲靶面视象管(Saticon)181

3.7.2 氧化铅靶面现象管(Plumbicon)185

3.7.3 硅靶视象管187

3.7.4 碲化锌镉视象管(Newvicon)188

3.7.5 硒化镉视象管(Chalnicon)189

3.7.6 非晶态氢硅(α-Si：H)靶面摄象管190

参考文献191

第四章薄膜太阳电池192

4.1 太阳电池发展史192

4.2 太阳电池的一般介绍193

4.2.1 理想太阳电池的效率194

4.2.2 影响实际太阳电池效率的因素198

4.2.3 按使用目的对太阳电池的分类199

4.3 氢化非晶硅太阳电池202

4.3.1 在非晶硅太阳电池中提高效率的条件203

4.3.2 氢化的作用204

4.3.3 氯化非晶硅的沉积205

4.3.4 等离子淀积的化学反应及α-si：H的生长机理206

4.3.5 α-Si：H膜的光学特性与电学特性208

4.3.6 α-Si：H太阳电池的结构212

4.3.7 α-Si：H太阳电池的光伏特性215

4.3.8 α-Si：H太阳电池制作中的几个基本问题218

4.4 太阳电池的新进展220

参考文献222

第五章静电复印223

5.1 静电复印的基本过程223

5.1.1 感光片的敏化(或充电)224

5.1.2 曝光225

5.1.3 显影226

5.1.4 复印机内部构造226

5.2 复印用光电导材料227

5.2.1 对复印用光电导材料的要求228

5.2.2 非晶硒228

5.2.3 非晶硅231

5.2.4 光电导体粘结层232

5.3 光电导绝缘体中的电荷传输234

5.3.1 暗衰减234

5.3.2 光电导放电236

5.4 色调复现曲线与最优化242

5.4.1 关键子系统的传递函数243

5.4.2 复印过程中工作参数的最优选择244

参考文献245

6.1.1 α-Si：H薄膜晶体管246

第六章非晶半导体的其它应用246

6.1 薄膜晶体管(TFT)及其在平面显示器中的应用246

6.1.2 α-Si：H TFT特性曲线与结构249

6.1.3 非晶硅静电感应晶体管251

6.1.4 利用TFT选址的液晶显示253

6.2 非晶硅锗硼三元合金及其在低损耗高速二极管中的应用255

6.2.1 Si-Ge-B三元合金256

6.2.2 α-Si-Ge-B合金的应用257

6.2.3 非晶态-晶态结(α-c结)的接触理论259

6.2 非晶半导体正传真、摄象中的应用263

6.3.1 大尺寸非晶半导体光敏元件阵列264

6.3.2 非晶硅电荷耦合器件(α-si:H CCD)265

6.3.3 叠层型CCD274

6.4 非晶半导体在开关和记忆元件中的应用275

6.4.1 阈值开关275

6.4.2 记忆开关276

6.4.3 开关机理277

6.4.4 皮秒光电开关278

6.5 利用非晶半导体材料结构变化的各种应用283

6.5.1 光盘记忆系统283

6.5.2 光调制器和IC元件284

6.6 非晶半导体的超晶格结构287

参考文献289